[发明专利]纳米硅肖特基二极管无效
| 申请号： | 200810024202.4 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290949A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王树娟;何宇亮 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利事务所 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 硅肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1、纳米硅肖特基二极管，其特征在于：其包括低电阻率单晶基片，所述基片上覆盖二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层设置有窗口，在所述窗口上沉积有掺杂的纳米硅薄膜，所述纳米硅薄膜上覆盖金属膜。
2、根据权利要求1所述纳米硅肖特基二极管，其特征在于：所述金属膜可以为钛膜、铂膜、钨膜或者为钛、铂、钨的混合物膜。
3、根据权利要求1所述纳米硅肖特基二极管，其特征在于：所述掺杂的纳米硅薄膜中掺杂磷、硼或砷。
4、根据权利要求1所述纳米硅肖特基二极管，其特征在于：所述纳米硅薄膜的厚度为3纳米～6纳米。
5、根据权利要求1所述纳米硅肖特基二极管，其特征在于：所述二氧化硅薄膜层的厚度为1微米。
6、根据权利要求1所述纳米硅肖特基二极管，其特征在于：所述窗口的面积为300×300um2。
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