[发明专利]有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法

权利要求书

1.一种有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置，其特征在于该装置包括：

a.单片机与键盘电路(1)：实现人对单片机的操作，单片机对系统的控制；

b.膜厚测量模块(2)：实时测量有机半导体模厚；

c.模数转换单元(3)：将膜厚模拟信号转化为数字信号，实时地反馈给单片机；

d.电磁阀(4)：将单片机的弱电信号转化为镀膜系统的开关，连接在蒸发源上；

e.固体继电器(5)：强弱电转换功能；

f.等效可变电阻电路(6)，与镀膜系统加热电阻串联分压，实现对镀膜速率的控制；

其中：单片机与键盘电路(1)中单片机的P1.6、P1.7端接等效可变电阻电路(6)的A1、A0端；单片机与键盘电路(1)中单片机的P0.0～P0.7端接模数转换单元(3)，模数转换单元(3)的输入端接膜厚测量模块(2)的输出端，膜厚测量模块(2)的输入端接真空腔(7)采集信号；单片机与键盘电路(1)中单片机的P1.0～P1.5端接固体继电器(5)，固体继电器(5)的输出端分别接真空腔(7)中的电磁阀(4)和蒸发源(8)。

2.一种如权利要求1所述的有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置的方法，其特征在于该控制方法如下：

1)单片机等待中断，键盘只要有按键按下即产生外部中断0；向单片机输入样品膜的厚度和膜层，先输入膜层数，然后如同向计算器输入数值一样输入每种样品膜的厚度，以ENTER标识一个数值的输入结束；

2)当按下开始镀膜按键，与第一个蒸发源相对应的单片机端口P1.0置为“1”，相连的固体继电器(5)导通，相应的蒸发源(8)中的“蒸发源0”通电，同时相应的“电磁阀0”打开，系统开始镀膜；

3)“蒸发源0”上的固体样品加热至升华，样品蒸气通过“电磁阀0”口输出，在真空腔(7)内的基片上凝固成膜；

4)镀膜过程中，测厚模块实时地测量膜的厚度，膜厚为模拟信号，经过模数转换单元(3)转化为数字信号，输入单片机端口P0.0～P0.7，单片机内部程序自动比较膜厚；R1小于R2，在开始镀膜时，内部程序置P1.7＝0，P1.6＝0，第二电阻R2接通，电压最小，镀膜的速率最慢；当膜厚到达所需厚度的1/4后，内部程序置P1.7＝1，P1.6＝0，电源直接加在蒸发源两端，镀膜速率最大，镀膜的速率较快；当膜厚到达1/2后，内部程序置P1.7＝0，P1.6＝1，第一电阻R1接通，电压较小，镀膜速率较小；当膜厚达到3/4后，P1.7＝0，P1.6＝0，第二电阻R2接通，电压最小，镀膜速率又变为最慢；当单片机检测到当前样品膜厚达到标准后，当前样品对应的单片机I/O端口置为“0”，停止镀膜，下一个样品对应的I/O端口置为“1”，开始镀膜，此时内部程序置接口的P1.7，P1.6仍然为0；当前样品膜厚达到预先设定的膜后，停止镀膜，另一个样品镀膜自动开始，到最后样品镀膜结束，提示灯亮。