[发明专利]一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法

权利要求书

1.一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法：利用预检光阻薄膜作为侦测媒介，量测并比对该预检光阻薄膜在UV硬化处理前后的收缩量差值以及光学特性的变化程度，从而实现对UV光阻硬化机台工作情况的掌控，其步骤为：

(1)准备一种涂有预检光阻薄膜的晶圆盘片，定义为PR wafer；

(2)将该PR wafer置入薄膜量测机台进行量测，得出其厚度TK1、量测拟合度的表征参数GOF1以及折射率n1；

(3)将该量测后的PR wafer置于UV光阻硬化机台进行UV光照处理；

(4)将该经过硬化处理的PR wafer再次置入薄膜量测机台进行量测，得出其厚度TK2、量测拟合度的表征参数GOF2以及折射率n2；

(5)将两次量测所得的光阻薄膜的厚度以及光学特性的变化程度等量测结果信息传输给制程系统，而所述制程系统则预先定义了该UV硬化机台允许偏差的最大参数，经由制程系统先由数值层面比对两次量测所得的厚度值，得出收缩量差值ΔTK＝TK2-TK1；再由光学特性的变化程度作为出发点进行范围层面的比对，得出并反馈该机台的实际工作情况。

2.根据权利要求1所述的一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法，其特征在于：所述的预检光阻薄膜为无IC图像晶圆盘片上的光阻涂层。

3.根据权利要求1所述的一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法，其特征在于：所述的预检光阻薄膜为包含有任意IC图像晶圆盘片上的光阻涂层。