[发明专利]回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置无效

专利信息
申请号: 200810019231.1 申请日: 2008-01-17
公开(公告)号: CN101294307A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 李红军;徐军;林岳明;曾金穗 申请(专利权)人: 扬州华夏集成光电有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 扬州苏中专利事务所 代理人: 张荣亮
地址: 225009江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 回旋 连续 供料 晶体生长 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1、一种回旋式连续供料的晶体生长方法,其特征是所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长。

2、根据权利要求1所述的回旋式连续供料的晶体生长方法,其特征是坩埚在旋转机构的带动下依次通过预熔区、生长区和退火区来完成第一埚料的生长过程;当第一埚料通过预熔区时,装料机构将第二埚料装于坩埚支架上;同样,当第二埚料通过预熔区时,装料机构将第三埚料装于坩埚支架上,此时第一埚料正通过退火区;同样,当第三埚料通过预熔区时,装料机构将第四埚料装于坩埚支架上,同时将完成生长过程的第一埚料取下;如此周而复始进行连续供料生长晶体,对于要求在真空或保护气氛下生长的晶体,每次开炉只在第一埚料装炉时需要对整个炉膛抽真空,此后每埚料装炉只要对下装料室抽真空/充气即可。

3、一种回旋式连续供料的晶体生长的装置,其特征是所述装置由环形布置的上/下装料区、预熔区、生长区、退火区和旋转机构构成的炉体,炉体下方的炉体支架以及炉体中央下方的抽真空机构构成;炉体的炉盖上设置监测窗,炉体对应生长区部位设置测温窗,炉体对应上/下装料区设置观察窗、观察窗下方设置料室阀门,料室阀门经阀门电机驱动,上/下装料区的炉体底部内设置拖架导轨,拖架导轨上置坩埚拖架;所述装置还设置控制器和指令执行器,装置中的热偶、电机、气压表、阀门、监测设备的信号输出连接控制器,控制器的输出接执行器,执行器控制泵阀门、炉膛阀门、升降电机、阀门电机和旋转电机。

4、根据权利要求3所述的回旋式连续供料的晶体生长的装置,其特征是所述装置中的炉体由双层水冷炉盖,内外炉壁和炉底板相互连接形成一个环形腔,环形腔为方形或为圆形,炉体沿圆周方向分成装料区、预熔区、生长区和退火区,装料区分为上装料室和下装料室;环形腔内的支架上设置保温层,保温层间设置供坩埚通过的通道,预熔区、生长区、退火区的保温层中设置加热机构,加热机构外接电源,炉体里中央部位设置旋转机构,旋转机构中的旋转臂两端固有坩埚杆,坩埚杆下端的坩埚支架上置有坩埚托盘和托盘上的坩埚。

5、根据权利要求4所述的回旋式连续供料的晶体生长的装置,其特征是所述加热机构由发热体,对称的内接电极、电极板、外接电极组成,发热体通过对称的内接电极、电极板、外接电极与炉体外的电源连接,发热体由一组具有不同宽度的发热片组成。

6、根据权利要求4所述的回旋式连续供料的晶体生长的装置,其特征是所述炉体内保温层采用石墨毡保温,发热体采用高纯致密石墨;保温层亦可采用钨钼保温,发热体采用高纯致密石墨;保温层亦可采用钨钼保温,发热体采用钨发热体;保温层亦可采用氧化锆保温,发热体采用钨发热体。

7、根据权利要求3所述的回旋式连续供料的晶体生长的装置,其特征是所述旋转机构由旋转电机,旋转电机轴杆端连接的旋转臂,旋转臂下方连固的滚轮与炉体上对应滚轮的导轨及旋转臂两端固有的坩埚杆构成。

8、根据权利要求3所述的回旋式连续供料的晶体生长的装置,其特征是抽真空机构由真空泵、真空泵阀门、炉膛阀门和管道构成,真空泵阀门经管道与炉体的装料区部位相通,管道上固有料室气压表和充/放气阀;炉膛阀门经管道与炉体相通。

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