[发明专利]太阳平板集热器的板芯及其集热板选择性吸收膜的镀膜方法

权利要求书

1、一种太阳平板集热器的板芯，由铜箔集热板(1)与布设在集热板(1)反面的铜质流体介质管(2)焊接组成，在集热板(1)的正面镀布有吸收膜(3)，其特征在于，所述吸收膜(3)，是能够有效选择吸收太阳入射能而其热辐射小的Ti N_xO_y氮氧化钛选择性吸收膜。

2、根据权利要求1所述的太阳平板集热器的板芯，其特征在于，所述选择性吸收膜(3)，是Ti N_0.70～1.0O_1.0～1.4氮氧化钛选择性吸收膜。

3、根据权利要求2所述的太阳平板集热器的板芯，其特征在于，所述选择性吸收膜(3)，是Ti N_0.88O_1.32氮氧化钛选择性吸收膜。

4、根据权利要求1或2或3所述的太阳平板集热器的板芯，其特征在于，所述选择性吸收膜(3)的厚度在90～100nm范围内。

5、根据权利要求1或2或3所述的太阳平板集热器的板芯，其特征在于，在所述选择性吸收膜(3)的表面，还镀布有用来减少发射率和使其表面陶瓷化的SiO₂保护膜(4)。

6、根据权利要求5所述的太阳平板集热器的板芯，其特征在于，所述SiO₂保护膜(4)的厚度在90～100nm范围内。

7、一种镀布如权利要求1所述的太阳平板集热器板芯的集热板选择性吸收膜的方法，采用直流双靶真空溅射镀膜机，以所述铜箔集热板为基材，钛靶为阴极，其特征在于，依次按照以下步骤进行：

a.铜箔集热板正面处理；去除铜箔正面的油污和氧化皮；

b.铜箔集热板烘干；

c.将烘干铜箔集热板置于所述镀膜机镀膜室内，且镀膜室抽真空；

d.给真空室充Ar氩气，且给铜箔集热板接通直流电，轰击铜箔集热板正面，去除铜箔集热板正面残存的氧化皮和附着的气体；

e.给钛靶接通直流电，钛靶起靶溅射，同时充N、O气，Ti离子与N、O发生反应生成Ti N_xO_y氮氧化钛，且沉积粘合在铜箔集热板正面而形成Ti N_xO_y氮氧化钛选择性吸收膜。

8、根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，还包括在所述Ti N_xO_y氮氧化钛选择性吸收膜表面镀布SiO₂保护膜；所述SiO₂保护膜的镀布方法，是以石英靶作为第二阴极，紧接e步骤，给第二阴极接通直流电，且向镀膜室内充Ar、O气；石英靶起靶溅射，且沉积粘合在所述Ti N_xO_y氮氧化钛选择性吸收膜表面形成SiO₂保护膜；或者在以上所述条件下，以硅靶作为第二阴极，硅靶起靶溅射，Si与O发生反应生成SiO₂且沉积粘合在所述Ti N_xO_y氮氧化钛选择性吸收膜表面形成SiO₂保护膜。

9、根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，所述a步骤铜箔集热板正面处理，是先用含量10％的NaOH，去除油污，且用热离子水清洗，然后再用含量为10～15％H₂SO₄去除氧化皮，且用冷水冲洗；所述b步骤铜箔集热板烘干，是用洁净热风循环烘箱，在70～80℃温度条件下，持续30～50min实施烘干处理；所述c步骤真空室的真空度在0.1～1.0×10^-2Pa范围内；所述d步骤给铜箔集热板所接通的直流电的电压在600～1200V范围内，电流在30～35A范围内；轰击清理时间在5～10min范围内；所述e步骤给钛靶所接通的直流电的电压在300～350V范围内，电流在30～35A范围内，所述充N、O气的N气流量由18～22ml/s渐增至95～105ml/s，O气流量由8～12ml/s渐增至28～32ml/s，反应镀膜时间可根据Ti N_xO_y选择性吸收膜厚度选定。

10、根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，所述给第二阴极所接通的直流电的电压在300～350V范围内，电流在30～35A范围内；所充的Ar、O气，是按Ar气65～75％，O气25～35％的比例充的；反应镀膜时间可根据SiO₂保护膜厚度选定。