[发明专利]一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810017970.7 申请日: 2008-04-15
公开(公告)号: CN101323524A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 高积强;杨建锋;刘光亮;程基宽;戴培赟;李春芳 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B38/00;C04B35/622
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 朱海临
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 定向 排列 碳化硅 多孔 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:

第一步,按重量百分比,在基本原料碳化硅10~100%中加入碳粉0~30%,硅粉0~50%,氧化硅粉0~60%;其中碳化硅粒度为W3.5~P220,采用一种粒度或两种粒度级配;

第二步,采用粉末堆积或常规陶瓷成形工艺将混合均匀的配料组成制成生坯,置于石墨坩埚或匣钵中,其中粉末堆积是将配料组成混合均匀后直接装入所要求外形产品的石墨坩埚或匣钵中震实;

第三步,将坩埚或匣钵放入具有温度梯度为15~30℃/cm温度场的真空气氛烧结炉中,在压力为0.5×104~1×105Pa的氩气条件下升温至1900~2500℃,保温0.5~3小时;

第四步,在第三步的气体保护下自然降温冷却,取出烧结体,得到具有定向排列孔结构的重结晶碳化硅多孔陶瓷。

2.根据权利要求1所述的定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述碳化硅采用两种粒度级配的方法是:粒度为P120的碳化硅与粒度为P180的碳化硅重量之比为4/6或3/7或6/4。

3.根据权利要求1所述的定向排列开孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述碳化硅采用两种粒度级配的方法是:粒度为P60的碳化硅与粒度为P120的碳化硅重量之比为4/6。

4.根据权利要求1所述的定向排列开孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述碳化硅采用两种粒度级配的方法是:粒度为W14的碳化硅与粒度为W3.5的碳化硅重量之比为4/6。

5.根据权利要求1所述的定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的温度梯度沿炉体内成垂直向或径向分布。

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