[发明专利]一种全球定位系统GPS接收机射频芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种射频信号接收机芯片，特别适用于全球定位系统接收机中应用的单片集成射频芯片。

背景技术

先前的全球定位系统GPS射频芯片采用0.35微米锗硅工艺，芯片面积较大、功耗较高，各项性能指标方面处于不够完善的状态，而且原先的全球定位系统GPS射频芯片设计是将接收卫星信号的第一级低噪声放大器放在片外，不具备通用性。

先前的全球定位系统GPS射频芯片只适用于美国的GPS全球定位系统，与伽利略卫星系统，GLONASS系统并不具备兼容性。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术不足，提供一种全球定位系统GPS接收机射频芯片。该芯片具有更好的通用性。

本发明的技术方案是这样解决的：

一种全球定位系统GPS接收机射频芯片，包括第一低噪声放大器、第二低噪声放大器，射频输入信号进入第一低噪声放大器，第一低噪声放大器连接第二低噪声放大器，第二低噪声放大器连接混频器；混频器与频率综合器连接，产生的信号进行混频，混频器连接中频滤波器；中频滤波器连接自动增益控制放大器，自动增益控制放大器与数模信号转换器相连，输出的数据信号进入基带，基带信号，即脉宽调制信号送入自动增益模块。

所述的第一低噪声放大器的RFIN为射频信号输入端，OUT为射频信号输出端；电压源VDD与晶体管M1的源端相连；晶体管M1的漏端与M2的漏端相连，同时晶体管M1的漏端与晶体管M2、晶体管M5、晶体管M6的栅端相连；其中，晶体管M2和晶体管M5的栅端之间接电容C1的一端，电容C1的另一端接地；晶体管M2的源端与晶体管M3的漏端相连，晶体管M3的漏端与晶体管M3的栅端相连，同时与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与晶体管M7，M8的栅端相连；晶体管M3和电阻R1之间接晶体管M4的漏端，晶体管M4的源端与地相连；晶体管M3，晶体管M7，晶体管M8的源端均与地相连；晶体管M7和晶体管M8的漏端相连，同时与晶体管M5和晶体管M6的源端相连；晶体管M5和晶体管M6的漏端接输出端。

所述的第二低噪声放大器的INPUT为来自于第一低噪声放大器的射频信号输入端，OUTPUT为第一低噪声放大器的射频输出端；电压源VDD分两路，一路与电容C1的一端相连，另一端与电感L1、电容C4、晶体管M7，晶体管M8，晶体管M9，晶体管M10的源端相连；电容C1的另一端接地VSS；晶体管M7，晶体管M8，晶体管M9，晶体管M10的漏端分别于电容C5，电容C6，电容C7，电容C8的一端相连；电感L1和电容C4，电容C5，电容C6，电容C7，电容C8的另一端均与输出端OUTPUT相连；偏置源Ibias进入晶体管M1的源端，晶体管M1的漏端接晶体管M2的漏端；晶体管M2的漏端与栅端相接，同时与晶体管M5的栅端相接；晶体管M2和晶体管M5栅之间接电容C2的一端，电容C2的另一端接地VSS；晶体管M3的漏端接晶体管M2的源端，同时晶体管M3的漏端和栅端短接；晶体管M3的栅端分两路，一路与电阻R1的一端相接，一路与晶体管M6的漏端相接；晶体管M6的源端接地VSS；电阻R1的另一端分两路，一端接晶体管M4栅端，另一路接电容C3；电容C3另一端接地VSS；晶体管M4的源端接地VSS。

本发明与原先的0.35锗硅工艺相比，无论是性能，还是功耗，芯片面积都有了很大的提高和改善；同时，原先的GPS RF芯片设计是将接收卫星信号的第一级低噪声放大器放在片外，而本发明将第一级低噪声放大器集成到了射频芯片中，具有更好的通用性。

附图说明

图1为本发明整体结构示意框图；

图2为图1的第一低噪声放大器的电路原理图；

图3为图1的第二低噪声放大器的电路原理图；

图4为图1的混频器电路的原理图；

图5为图1的中频滤波器电路的原理图；

图6为图5的运算放大器(OPAMP)的电路原理图；

图7为图1的自动增益控制信号放大器的电路原理图；

图8为图1的模数信号转换器的电路原理图；

具体实施方式

附图为本发明的实施例；

下面结合附图对本发明的发明内容作进一步说明：