[发明专利]网格压力传感芯片及制备方法、压力分布式传感器

权利要求书

1.一种网格压力传感芯片，包括有压敏体，其特征在于，还包括有绝缘底层和绝缘上层，绝缘底层和绝缘上层之间设置有行电极架构层和列电极架构层；在行电极架构层中等间隔设置有多条行电极，在列电极架构层中等间隔设置有多条列电极，行电极与列电极构成网格分布，行、列电极延伸至各自架构层的两边分别形成行、列电极外接点；行电极架构层和列电极架构层之间设置中间层，所述的压敏体具有多个并刚好设置在行、列电极交叉点处的中间层内，每个压敏体的两端面分别与行电极、列电极相接；所述的绝缘底层和绝缘上层，行、列电极架构层以及中间层整体形成一个矩形片。

2.如权利要求1所述的网格压力传感芯片，其特征在于，所述的行电极数与列电极数相等，均为四。

3.一种如权利要求1所述网格压力传感芯片的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

第一步：在绝缘底层上沉积一层行电极架构层；第二步：在行电极架构层上刻蚀行电极槽；第三步：在行电极槽中沉积导电金属形成行电极；第四步：通过机械精磨工艺去除行电极架构层上面多余的金属材料，使各行电极之间彼此绝缘；第五步：在行电极架构层及行电极上沉积中间层；第六步：在中间层刻规则行、列孔，每行孔正对行电极；第七步：在行、列孔中沉积压敏材料形成压敏体，并去除中间层上面多余的压敏材料；第八步：在中间层及压敏体上沉积列电极架构层；第九步：在列电极架构层上刻蚀列电极槽；第十步：在列电极槽中沉积导电金属形成列电极，列电极正对中间层每列孔中的压敏体；第十一步：通过机械精磨工艺去除列电极架构层上面多余的金属材料，使各列电极之间彼此绝缘；第十二步：在列电极架构层及列电极上沉积一层绝缘上层。

4.如权利要求3所述网格压力传感芯片的制备方法，其特征在于，所述的行电极数与列电极数相等，均为四。

5.如权利要求3或4所述网格压力传感芯片的制备方法，其特征在于，所述的行、列孔刻成圆形或方形，其内沉积的压敏体相应为圆柱形或方柱形。

6.一种用权利要求1所述网格压力传感芯片组合而成的压力分布式传感器，其特征在于，包括矩形传感器框架，传感器框架内拼接有偶数个网格压力传感芯片，网格压力传感芯片相互拼接处的行电极外接点之间相互连接，列电极外接点之间相互连接；传感器框架的两两对边分别设置有电极连接结构，网格压力传感芯片与传感器框架两两对边接触处的行、列电极外接点与该电极连接结构连接；所述电极连接结构包括电极连接件和设置在传感器框架内侧的工字插槽，电极连接件上设置有工字凸轨和外接引线孔，电极连接件装配时，所述的工字凸轨与工字插槽相吻合，电极连接件朝向传感器框架内的一侧为电极连接面；网格压力传感芯片与传感器框架两两对边接触处的行、列电极外接点与所述电极连接面接触连接；所述外接引线孔连接检测导线。