[发明专利]半导体硅片化学机械抛光用清洗液

权利要求书

1.一种半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于含有的原料及重量百分比如下：

有机碱        5％～20％

表面活性剂    0.1％～1％

渗透剂        2％～5％

螯合剂        0.1％～1％

光亮剂        0.01％～0.1％

水            余量。

2.根据权利要求1所述的半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于所述的有机碱是二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、β-羟乙基乙二胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于所述的表面活性剂是高分子非离子表面活性剂。

4.根据权利要求3所述的半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于所述的高分子非离子表面活性剂是聚醚表面活性剂或聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、环氧乙烷或环氧丙烷的嵌段共聚物或在所述嵌段共聚物中加入烷基获得的亲水聚合物中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于所述的渗透剂是快速渗透剂，分子通式为C_nH_2n+1O(C₂H₄O)_χH，n＝12～18，χ＝6～12。

6.根据权利要求5所述的半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于所述的螯合剂是乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠盐、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸或次氮基三乙酸中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的半导体硅片化学机械抛光用清洗液，其特征在于所述的光亮剂是机磷酸盐或卤盐。