[发明专利]一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法

权利要求书

1.一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，其特征是步骤如下：

1)利用金属有机物化学气相沉积设备来进行p型ZnO薄膜的制备，采用锑的金属有机物作为p型ZnO的掺杂源，以二乙基锌为锌的有机源，通过调节两种有机源的载气流量来调节Sb在ZnO的含量；

2)将清洗过的衬底放入金属有机物化学气相沉积设备中，当反应室的真空度低于到3×10^-3Pa时，加热衬底片托盘，升温到700℃将衬底片进行热处理10～30分钟，底片托盘降温到生长温度250～650℃中某一温度点停分子泵，准备生长；

3)打开旋转电机，调节衬底片托盘在50～1000转/分中的一个值旋转，调节二乙基锌源温度为-25℃～0℃，调节Zn源载气Ar气流量为1～15sccm，通入反应室。同时调节Sb源对应的摩尔流量为Zn有机源mol流量的1/1000到10/100，经载气通入反应室，通入氧气，氧气流量为10～500sccm，开始Sb掺杂ZnO薄膜的生长；

4)生长完成后，关闭所有有机源及载流，保持氧气流量，缓慢降温到100℃以下后，即可取出样品。

2.根据权利要求1所述的一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，其特征是所说的锑的金属有机物是三甲基锑或三乙基锑。

3.根据权利要求1所述的一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，其特征是所说的衬底是Al₂O₃或Si或GaAs或InP、CaF₂、SiO₂或玻璃。