[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一膜，所述衬底在的它表面上具有第一层；

在所述第一膜中形成开口部分；

进行等离子体处理并由此去除所述开口部分的侧壁上粘附的沉积物；以及

在去除所述沉积物之后，通过使用所述第一膜作为掩模，有选择地去除所述第一层。

2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述衬底是硅衬底，

所述第一层是所述硅衬底的一部分，以及

通过有选择地去除所述第一层，在所述硅衬底中形成凹进部分。

3.根据权利要求2的制造半导体器件的方法，其中所述凹进部分是用于隔离元件的沟槽，该方法还包括：

在所述硅衬底上方形成绝缘膜，以便掩埋所述凹进部分；以及

去除所述绝缘膜的一部分，所述的部分形成在所述凹进部分的外面。

4.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述第一层是所述衬底上方形成的第二膜。

5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述第一膜包括含硅膜。

6.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，其中所述第一膜是SiN膜、SiO₂膜以及SiN膜和SiO₂膜的层叠膜之一。

7.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，其中通过至少使用在其分子中包含碳原子和氟原子的气体，有选择地刻蚀所述第一膜，形成所述开口部分。

8.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中通过使用包含O₂、O₃、N₂、H₂以及NH₃中的至少一种的气体进行所述等离子体处理。

9.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，还包括：

形成具有预定图形的抗蚀剂膜，以便与所述第一膜的表面接触，

其中通过使用所述抗蚀剂膜作为掩模，在所述第一膜中形成所述开口部分。

10.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，还包括：

形成含碳膜，以便与所述第一膜的表面接触；

在所述含碳膜上形成具有预定图形的抗蚀剂膜；以及

通过使用所述抗蚀剂膜作为掩模，构图所述含碳膜，

其中通过使用所述含碳膜作为掩模，在所述第一膜中形成所述开口部分。

11.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，还包括：

形成含碳膜，以便与所述第一膜的表面接触；

在所述含碳膜上形成由无机材料制成的抗反射膜；

在所述抗反射膜上形成具有预定图形的抗蚀剂膜；以及

通过使用所述抗蚀剂膜作为掩模，构图所述抗反射膜和所述含碳膜，

其中通过使用所述含碳膜和所述抗反射膜作为掩模，在所述第一膜中形成所述开口部分。

12.根据权利要求10的制造半导体器件的方法，其中所述含碳膜是无定形碳膜。

13.根据权利要求11的制造半导体器件的方法，其中所述含碳膜是无定形碳膜。

14.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中在所述抗蚀剂膜被刻蚀不少于5nm但是不超过30nm厚度的条件下进行所述等离子体处理。

15.根据权利要求10的制造半导体器件的方法，其中当刻蚀量被转换为将被刻蚀的所述抗蚀剂膜的厚度时，在所述抗蚀剂膜被刻蚀不少于5nm但是不超过30nm的厚度的条件下进行所述等离子体处理。

16.根据权利要求11的制造半导体器件的方法，其中当刻蚀量被转换为将被刻蚀的所述抗蚀剂膜的厚度时，在所述抗蚀剂膜被刻蚀不少于5nm但是不超过30nm的厚度的条件下进行所述等离子体处理。