[发明专利]机电共振器及其制造方法

权利要求书

1.一种机电共振器，包括：

共振器部，包含固定电极以及与所述固定电极以间隙分离地形成的振动器，

其中所述间隙具有沿所述固定电极的厚度方向布置的第一间隙区域和第二间隙区域，以及

其中所述第一间隙区域的宽度不同于所述第二间隙区域的宽度。

2.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述第一间隙区域的宽度固定，以及

其中所述第二间隙区域具有足以忽略所述固定电极和所述振动器之间的电容的宽度。

3.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述固定电极具有第一固定电极和第二固定电极，以及

其中所述振动器以间隙布置于所述第一固定电极和所述第二固定电极之间。

4.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述间隙仅具有空气间隙。

5.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述间隙具有空气间隙和介质间隙。

6.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述间隙仅具有介质间隙。

7.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述振动器是由单晶硅制成。

8.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述振动器是由多晶硅制成。

9.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述固定电极通过预定支持部形成于基板上，以及

其中所述振动器的侧面相对于所述基板的表面倾斜。

10.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述固定电极通过预定支持部形成于基板上，以及

其中所述振动器的侧面垂直于所述基板的表面。

11.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述固定电极的厚度大于所述振动器的厚度。

12.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述固定电极的厚度等于所述振动器的厚度。

13.如权利要求1所述的机电共振器，其中所述固定电极的厚度小于所述振动器的厚度。

14.如权利要求1所述的机电共振器，其中形成于基板上的多个共振器部分别具有不同的共振频率。

15.如权利要求2所述的机电共振器，其中所述共振器部包含第一共振器部和第二共振器部，每个共振器部具有所述固定电极和所述振动器，以及

其中所述第一共振器部的第一间隙区域的宽度不同于所述第二共振器部的第一间隙区域的宽度。

16.一种机电共振器的制造方法，包括：

在基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成导电层并平整化所述导电层以形成第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间形成间隙，

其中所述第一电极和所述第二电极之一为固定电极，所述第一电极和所述第二电极的另一个为振动器，

其中所述间隙具有沿所述固定电极的厚度方向布置的第一间隙区域和第二间隙区域，以及

其中所述第一间隙区域的宽度不同于所述第二间隙区域的宽度。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中间隙的形成工艺包括：

在所述导电层上形成凹槽，所述凹槽对应于具有足以忽略所述固定电极和所述振动器之间的电容的宽度的所述第二间隙区域；以及

除去从所述凹槽露出的所述绝缘层以形成对应于所述第一间隙区域的空气间隙。

18.如权利要求16所述的制造方法，其中间隙的形成工艺包括：

将杂质掺入所述导电层以形成介质凹槽，所述介质凹槽对应于具有足以忽略所述固定电极和所述振动器之间的电容的宽度的所述第二间隙区域，

其中与所述介质凹槽连通的所述绝缘膜对应于所述第一间隙区域。

19.如权利要求16所述的制造方法，其中间隙的形成工艺包括：

除去所述绝缘膜以形成空气间隙；以及

将绝缘杂质掺入与所述空气间隙连通的所述导电层的一部分，以形成与所述第二间隙区域相对应的介质凹槽。