[发明专利]用于在处理室中限定处理排除和处理执行的区域的装置

权利要求书

1.一种用于限定处理室中非反应性蚀刻和反应性蚀刻地带的装置，所述处理室配置为用于蚀刻晶片，所述装置包括：

下部电极，其配置为在所述处理室中支承晶片，其中所述晶片上部表面的上部边缘环境被暴露以用于处理，所述下部电极进一步配置为支承所述晶片，并且其中所述晶片上部表面的中央区域位于所述被暴露以用于处理的上部边缘环境内，所述中央区域的半径范围根据每个待处理的不同晶片的规格要求而不同；以及

顶部电极，其配置为具有对应所述中央区域的第一半径范围的中央区域，其中所述第一半径范围小于第二半径范围，并且所述第二半径范围小于第三半径范围，所述顶部电极进一步配置为分别容纳第一和第二顶部蚀刻限定环，各所述顶部蚀刻限定环配置为具有围绕所述中央区域的环形形状，所述环形形状具有T形横截面形状以限定具有连续一体构造的中央径向延伸部分，从而将所述中央区域的第一半径范围径向延伸离开所述中央区域，所述T形横截面形状进一步限定围绕所述中央区域的内部径向延伸肩部，所述T形横截面形状进一步限定外部上部腔，所述外部上部腔根据待处理的相应的晶片的规格要求而位于所述晶片的上部边缘环境上，所述顶部电极构造使得所述顶部电极可相对于所述下部电极具有第二位置关系，从而在所述下部电极上支承的所述晶片的所述第一半径范围的中央区域被均一的薄间隔从所述中央区域间隔开，所述薄间隔配置为将蚀刻排除在由所述均一薄间隔所限定的非反应性蚀刻地带之外，所述顶部电极的所述中央区域配置为具有凸缘，所述凸缘具有在分别被容纳在所述顶部电极上的第一和第二环中的每个的所述内部径向延伸肩部下方的径向延伸，所述凸缘配置为将相应的所述环保持在所述顶部电极上，从而各相应地被分别容纳的所述第一和所述第二环的中央径向延伸区域被设置，其中所述连续的一体构造根据在所述顶部电极的凸缘上哪个环被分别容纳，而将所述第一半径范围的连续的一体延伸限定为与所述相应的第二半径范围或第三半径范围相等，从而对于由每个待处理的不同晶片相应的规格要求所规定的中央区域的每个不同的半径范围，这些环中的一个将所述均一的薄间隔延伸超出所述第一半径范围以将蚀刻排除在由所述均一的薄间隔限定的所述非反应性蚀刻地带之外，所述均一的薄间隔对应根据所述晶片规格要求的相应的第二或第三半径范围，所述顶部电极构造进一步使得当所述顶部电极处于所述第二位置关系时，由各自被容纳的相应的第一和第二顶部蚀刻限定环所限定的外部上部腔相对于对应所述被容纳的环的相应晶片的上部边缘环境而定向以限定所述处理室的上部部分以及上部反应性蚀刻地带，从而允许相应晶片的上部边缘环境的蚀刻。