[发明专利]具有高发光效率的等离子体显示屏及制备方法无效
| 申请号: | 200810006989.1 | 申请日: | 2008-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN101499397A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
| 发明(设计)人: | 李德杰 | 申请(专利权)人: | 李德杰 |
| 主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;H01J17/04;H01J9/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀区成*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 发光 效率 等离子体 显示屏 制备 方法 | ||
1.具有高发光效率的等离子体显示屏,包括由玻璃制成的前基板和后基板,其中前基板上包括平行设置的被称为X电极的透明导电的维持电极和被称为Y电极的透明导电的扫描—维持电极、X电极和Y电极上的汇流电极、前基板透明介质层、氧化镁制成的介质保护层;后基板上包括被称为A电极的寻址电极、A电极之上并且覆盖整个后基板表面的后基板介质层、位于后基板介质层上的条形障壁、涂覆在条形障壁之间沟道内的三基色荧光粉层,其特征在于:所述的后基板上的寻址电极设置在条形障壁之间的沟道的外表面上,呈凹形,三基色荧光粉层涂覆在障壁之间的沟道内,覆盖寻址电极;寻址电极由单层或多层复合金属薄膜构成,单层膜或多层复合金属膜中与荧光粉相邻的膜层采用对可见光具有高反射率的金属制备。
2.根据权利要求1所述的具有高发光效率的等离子体显示屏,其特征在于:所述的寻址电极和荧光粉之间增加一层透明介质薄膜,其功能是防止寻址电极的金属表面与荧光粉发生化学作用,降低寻址电极对可见光的反射率。
3.根据权利要求1所述的具有高发光效率的等离子体显示屏,其特征在于:在三基色荧光粉的外表面沉积一层氧化镁薄膜,以增大荧光粉的抗离子轰击能力。
4.根据权利要求1所述的具有高发光效率的等离子体显示屏,其特征在于:构成寻址电极的单层金属膜的材料为银或铝。
5.根据权利要求1所述的具有高发光效率的等离子体显示屏,其特征在于:构成寻址电极的多层复合金属膜中与荧光粉相邻的膜层为银或铝。
6.具有高发光效率的等离子体显示屏的后基板的制备方法,其特征在于,采用如下主要步骤:
1)在玻璃后基板上用常规方法制作A电极、后基板介质层和条形障壁;
2)沉积用于寻址电极的单层或多层复合金属薄膜;
3)涂覆光刻胶;
4)对光刻胶进行掩膜曝光,使得障壁顶部的光刻胶和位于障壁侧面上靠近顶部的光刻胶暴露于紫外线之下而感光;或采用非掩膜曝光,由于障壁顶部的光刻胶和障壁侧面上靠近顶部的光刻胶厚度薄而彻底感光,其余部位非彻底感光;
5)进行显影,露出障壁顶部和障壁侧面靠近顶部的金属薄膜;
6)刻蚀暴露出的金属薄膜,然后清洗掉剩余光刻胶,得到位于障壁之间的沟道的外表面上的寻址电极;
7)沉积透明介质薄膜;
8)在障壁之间的沟道内涂覆三基色荧光粉,覆盖寻址电极,可采用丝网印刷或喷墨法进行;
9)沉积氧化镁薄膜;
上述步骤7)和9)可以两者之一或两者同时被取消,得到权利要求1—5中所述的不同结构的等离子体显示屏。
7.具有高发光效率的等离子体显示屏的后基板的制备方法,其特征在于,采用如下主要步骤:
1)在玻璃后基板上用常规方法制作A电极、后基板介质层和条形障壁;
2)沉积用于寻址电极的单层或多层复合金属薄膜;
3)涂覆能够固化的有机薄膜;
4)对有机薄膜进行灰化处理,即在氧气放电等离子中进行刻蚀,由于障壁顶部和障壁侧面靠近顶部的有机薄膜厚度薄而被彻底刻蚀掉,其余部位的有机薄膜被保留,暴露出障壁顶部和障壁侧面靠近顶部的金属薄膜;
5)刻蚀暴露出的金属薄膜,然后清洗掉有机薄膜,得到位于障壁之间的沟道的外表面上的寻址电极;
6)沉积透明介质薄膜;
7)在障壁之间的沟道内涂覆三基色荧光粉,覆盖寻址电极,可采用丝网印刷或喷墨法进行;
8)沉积氧化镁薄膜;
上述步骤6)和8)可以两者之一或两者同时被取消,得到权利要求1—5中所述的不同结构的等离子体显示屏。
8.具有高发光效率的等离子体显示屏的后基板的制备方法,其特征在于,采用如下主要步骤:
1)在玻璃后基板上用常规方法制作A电极、后基板介质层和条形障壁;
2)用丝网印刷方法在条形障壁之间的沟道内印刷银浆,并烧结而成寻址电极,注意不要将银浆印刷到障壁顶部;
3)沉积透明介质薄膜;
4)在障壁之间的沟道内涂覆三基色荧光粉,可采用丝网印刷或喷墨法进行;
5)沉积氧化镁薄膜;
上述步骤3)和5)可以两者之一或两者同时被取消,得到权利要求1—5中所述的不同结构的等离子体显示屏。
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