[发明专利]高性能微制造静电四极透镜

权利要求书

1.由第一和第二微制造基座形成的静电四极透镜，每个基座具有绝缘基底，该绝缘基底上形成有被配置为分别接纳第一和第二电极的第一和第二安装部件，所述第一和第二安装部件物理上是彼此区分的。

2.如权利要求1所述的透镜，其中每个基座还包括至少一个间隔物，该至少一个间隔物的高度高于第一或第二安装部件的高度。

3.如权利要求2所述的透镜，其中每个安装部件由两个支撑部件形成，所述支撑部件物理上是彼此区分的。

4.如权利要求2或者3所述的透镜，其中，所述支撑部件的每一个形成为在所述绝缘基底上的岛状物，各岛状物被沿所述基座的纵轴和横轴形成的沟槽所分隔。

5.如权利要求4所述的透镜，其中每个安装部件的支撑部件位于基底上的第一和第二位置并且通过间隔物被彼此分开，所述间隔物形成位于所述第一与第二位置之间的屏蔽，使得接纳的电极穿过该屏蔽。

6.如权利要求5所述的透镜，其中所述屏蔽包括具有基本上与电极平行的纵轴线的屏蔽沟槽。

7.如权利要求6所述的透镜，其中所述屏蔽沟槽具有导电表面，所述屏蔽沟槽具有的深度使得在电极穿过所述屏蔽时，与该屏蔽的导电表面物理上是分开的。

8.如权利要求2至7中任一项所述的透镜，其中，所述第一和第二安装部件的每一个在其上表面上具有导电表面，使得当电极被接纳并且位于所述第一和第二安装部件上时，实现所述电极与其相应的安装部件之间的电接触。

9.如权利要求8所述的透镜，其中插入的电极能被接纳于位于所述第一和第二安装部件中的任一个的上表面中的定位结构内。

10.如权利要求9所述的透镜，在从属于权利要求6时，所述定位结构的深度小于在屏蔽中形成的沟槽的深度，使得电极在被接纳于蚀刻结构中时悬在所述沟槽之上。

11.如权利要求2至10中任一项所述的透镜，具有被接纳于每个安装部件内的电极。

12.如权利要求11所述的透镜，其中第一和第二基座被布置为夹层结构，使得所述第一和第二基座的各自的绝缘基底在所述结构的相对侧并且提供其外表面。

13.如权利要求12所述的透镜，其中在形成夹层结构时，用于第一和第二基座中的每一个的至少一个间隔物的上表面彼此接触，由此限定了相对基底之间的间隔距离。

14.如权利要求13所述的透镜，其中相应间隔物之间的接触在所述电极周围提供连续的导电屏蔽。

15.如权利要求12至14中任一项所述的透镜，被设置为四极结构。

16.如权利要求12至15中任一项所述的透镜，包括至少两组电极，每组被设置为四极结构。

17.如权利要求16所述的透镜，其中所述至少两组电极中的至少两个电极彼此平行布置。

18.如权利要求16所述的透镜，其中所述至少两组电极中的至少两个电极彼此串行布置。

19.如权利要求18所述的透镜，其中第一组电极向第二组电极提供预过滤器。

20.如权利要求19所述的透镜，其中第一组电极能安装于各个安装部件上。

21.如权利要求19所述的透镜，其中第一组电极与第二组电极在机械上毗邻但是电隔离。

22.如权利要求18至21中任一项所述的透镜，其中第一组电极耦合到RF电压源。

23.如权利要求22所述的透镜，其中所述第一组电极耦合到DC接地电源。

24.如权利要求12至23中任一项所述的透镜，其中通过在一个基座上的结合连接提供到每个电极的外部电接触。

25.如权利要求24所述的透镜，其中所述两个基座中的每一个的覆盖区不同，使得能从外部接近提供所述外部电连接的所述基座。

26.如任一前述权利要求所述的透镜，其中每个安装部件由半导体材料形成。

27.如权利要求26所述的透镜，其中所述半导体材料是硅。