[发明专利]芯片的稳压电路与方法无效
| 申请号： | 200810005337.6 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101498946A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陈逸琳;郭东政 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 稳压 电路 方法 | ||
1.一种芯片的稳压电路，包括：
输入输出驱动电路，该输入输出驱动电路包括多个晶体管；以及
电平电压，用以将该些晶体管的至少一晶体管导通；
其中该输入输出驱动电路是该芯片的未打线接合的该输入输出驱动电路。
2.根据权利要求1所述的稳压电容，其中该些晶体管是至少一组串联的P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.根据权利要求2所述的稳压电容，其中该P型金属氧化物半导体场效应晶体管及该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的其中之一导通。
4.根据权利要求2所述的稳压电容，其中该P型金属氧化物半导体场效应晶体管导通，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管关闭。
5.根据权利要求2所述的稳压电容，其中该P型金属氧化物半导体场效应晶体管关闭，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管导通。
6.根据权利要求2所述的稳压电容，其中该P型金属氧化物半导体场效应晶体管以及该N型金属氧化物半导体场效应晶体管同时接收高电平电压或低电平电压。
7.根据权利要求1所述的稳压电容，其中该输入输出驱动电路设定为输出模式。
8.一种芯片的稳压方法，该芯片包括至少一未打线接合的输入输出驱动电路，该输入输出驱动电路包括多个晶体管，其稳压方法包括下列步骤：
将该些晶体管的至少一晶体管导通；以及
将该些晶体管的至少一晶体管关闭。
9.根据权利要求8所述的稳压方法，其中该些晶体管是至少一组串联的P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该P型金属氧化物半导体场效应晶体管导通，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管关闭。
10.根据权利要求8所述的稳压方法，其中该些晶体管是至少一组串联的P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该P型金属氧化物半导体场效应晶体管关闭，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管导通。
11.根据权利要求8所述的稳压方法，其中该些晶体管是至少一组串联的P型金属氧化物半导体场效应晶体管及N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该P型金属氧化物半导体场效应晶体管以及该N型金属氧化物半导体场效应晶体管同时接收高电平电压或低电平电压。
12.根据权利要求8所述的稳压方法，还包括下列步骤：
设定该输入输出驱动电路为输出模式。
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