[发明专利]存储单元装置及编程方法

权利要求书

1、一种编程一包含相变化材料的存储单元的方法，其特征在于，该方法包含：

设定该存储单元的一数据值；

施加一组脉冲以储存该数据值，该组脉冲包括一初始常态化脉冲，该初始常态化脉冲具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一后续脉冲，该后续脉冲具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该设定数据值的电阻值。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该存储单元用来储存二位，且包括施加一第一组脉冲假如该设定数据值为00，一第二组脉冲假如该设定数据值为01，一第三组脉冲假如该设定数据值为10，及一第四组脉冲假如该设定数据值为11。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包括：

施加一第一组脉冲假如该设定数据值为一第一数据值，该第一组脉冲包括一第一脉冲，该第一脉冲具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一第二脉冲，该第二脉冲具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该第一数据值的电阻值；

施加一第二组脉冲假如该设定数据值为一第二数据值，该第二组脉冲包括一第三脉冲，该第三脉冲具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一第四脉冲，该第三脉冲具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该第二数据值的电阻值，其中该第三脉冲的脉冲形状与该第一脉冲的脉冲形状相似。

4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该第四脉冲的脉冲时间长度大于该第二脉冲的脉冲时间长度。

5、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二脉冲是在该第一脉冲将该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态后施加至少5纳秒。

6、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二脉冲是在该第一脉冲将该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态后施加至少1纳秒。

7、一种编程一包含相变化材料的存储单元的方法，其特征在于，该方法包含：

设定该存储单元的一数据值；

施加一复位脉冲假如该设定数据值为一第一数据值，该复位脉冲具有一脉冲形状将会导致一主动区域转换为一非晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第一数据值的电阻值；

施加一第一组脉冲假如该设定数据值为一第二数据值，该第一组脉冲包括一第一脉冲，该第一脉冲具有一脉冲形状将会导致该主动区域转换为一非晶相，以及一第二脉冲，该第二脉冲具有一脉冲形状将会导致该主动区域的一部分转换为一结晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第二数据值的电阻值；

施加一第二组脉冲假如该设定数据值为一第三数据值，该第二组脉冲包括一第三脉冲，该第三脉冲具有一脉冲形状将会导致该主动区域转换为一非晶相，以及一第四脉冲，该第四脉冲具有一脉冲形状将会导致该主动区域的一部分转换为一结晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第三数据值的电阻值。

8、一种存储装置，其特征在于，该装置包含：

一包含相变化材料的存储单元；以及

偏压电路用于施加一偏压调整至该存储单元以储存一数据值；

其中该偏压调整以储存一数据值包含一组脉冲，该组脉冲包括一初始常态化脉冲，其具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一后续脉冲其具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该设定数据值的电阻值。

9、根据权利要求8所述的存储装置，其特征在于，该存储单元适用来储存二位，且包括该偏压调整包含一第一组脉冲假如该设定数据值为00，一第二组脉冲假如该设定数据值为01，一第三组脉冲假如该设定数据值为10，及一第四组脉冲假如该设定数据值为11。