[发明专利]集成电路封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路封装体，特别是有关于一种集成电路封装体的制造方法。

背景技术

在半导体工业中，集成电路一般形成在晶片上，其中，在同一片晶片上的多个半导体芯片可同时形成，因此，这些半导体芯片随后可从晶片上切割出来，然而由于这些半导体芯片体积既小且易碎，因此在使用这些芯片之前必须先予以封装。

图1显示了传统的集成电路封装体，其包括半导体芯片12。首先，利用黏着层14将半导体芯片12贴附于封装基板10上。随后，将锡球16形成于封装基板10的表面上，且电性连接印刷电路板18。最后再填入封装树脂20，以包覆上述半导体芯片12。由于封装树脂20与封装基板10两者皆不是良好的导热材料，以致于半导体芯片12所产生的热会局限在集成电路封装体内，而导致半导体芯片12的寿命缩短或操作异常。

因此，因此需要一种新颖的封装结构来改善上述问题。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种集成电路封装体，包括：基板，具有第一表面、及相对的第二表面，以及第一孔洞，其中该第一孔洞从该基板的第一表面贯穿至该第二表面；多个导线，设置于该基板的第二表面的一部分上；芯片，设置于该基板的第二表面的上方，两者之间形成腔室；多个接合垫，设置于该芯片朝向该基板的第二表面的一侧，且这些接合垫的至少一个与这些导线中的一个电性连接；以及第一散热层，从该第一孔洞延伸至该腔室内。

根据本发明的集成电路封装体，其中第一散热层填满第一孔洞并与芯片连接。

根据本发明的集成电路封装体，其中第一散热层从基板的第一表面延伸至第一孔洞中，且穿过第一孔洞并与芯片连接。

根据本发明的集成电路封装体，进一步包括在芯片朝向基板的第二表面的一侧设置第二散热层，且第二散热层连接该第一散热层。

根据本发明的集成电路封装体，其中该第一散热层从基板的第一表面穿过第一孔洞且延伸至基板的第二表面上。

根据本发明的集成电路封装体，其中第二表面上的第一散热层与接合垫之一连接。

根据本发明的集成电路封装体，其中该第一散热层与芯片及接合垫之间相隔一既定距离。

根据本发明的集成电路封装体，还包括第三散热层，从基板的第一表面穿过第二孔洞且延伸至该基板的第二表面上，其中该第二孔洞与该第一孔洞相邻。

根据本发明的集成电路封装体，其中该第三散热层与芯片及这些接合垫之间相隔一既定距离。

根据本发明的集成电路封装体，进一步包括在芯片朝向基板的第二表面的一侧设置第四散热层，且该第四散热层连接该第三散热层。

根据本发明的集成电路封装体，进一步包括树脂，填入腔室内以密封芯片与基板之间的第一散热层。

根据本发明的集成电路封装体，其中第一散热层由金、银或铜金属组成。

本发的另一目的是提供一种集成电路封装体的制造方法，包括：提供基板，具有第一表面、及相对的第二表面，以及第一孔洞，其中该第一孔洞从该基板的第一表面贯穿至该第二表面；在该第一表面上形成第一散热层；在该第二表面的一部分上形成多个导线；提供芯片，设置于该基板的第二表面的上方，两者之间形成腔室；形成多个接合垫于该芯片朝向于该基板的第二表面的一侧，其中这些接合垫中的至少一个与这些导线的一个电性连接；以及形成第二散热层，从该第一孔洞延伸至该腔室内，且该第二散热层与该第一散热层接触。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中该金属层是利用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、黏贴或其组合形成。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中该第二散热层穿过该第一孔洞并与该芯片接触。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，进一步包括形成第三散热层于该芯片朝向该基板的第二表面的一侧，且该第三散热层连接该第二散热层。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中该第三散热层是利用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、黏贴或其组合形成。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中该第二散热层从第一散热层穿过第一孔洞且延伸至该基板的导线上。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中该第二散热层与芯片及接合垫之间相隔一既定距离。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，进一步包括填入树脂层于该腔室内以密封芯片与基板之间的第二散热层。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中第二散热层由金、银或铜金属组成。

根据本发明的集成电路封装体的制造方法，其中第二散热层是利用电镀法形成。