[发明专利]钽电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200810004148.7 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101271765A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李基安 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钽电容 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造钽电容器的方法，所述方法包括：
烧结钽粉末以制备钽颗粒；
氧化所述钽颗粒以在其表面上形成介电层；以及
通过将具有形成在其表面上的所述介电层的所述钽颗粒浸入聚合物悬浮液中而在所述钽颗粒上沉积聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物悬浮液具有悬浮在其中的纳米尺度的聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物悬浮液是导电聚合物悬浮液。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述聚合物悬浮液包含选自由聚噻吩、聚酰亚胺、聚吡咯、聚苯胺、以及聚呋喃组成的组中的一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物悬浮液包含导电聚合物、分散剂以及表面活性剂。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括干燥具有沉积在其上的所述聚合物的所述钽颗粒。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述干燥所述钽颗粒是在在25℃至150℃的温度下实施的。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，重复所述沉积聚合物和所述干燥所述钽颗粒直到完全沉积所述聚合物。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述沉积聚合物和所述干燥所述钽颗粒被重复四次或更多次。
10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在所述干燥所述钽颗粒之后，使用单体溶液和氧化剂溶液沉积所述聚合物。
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