[发明专利]带有设有间隙的尾屏蔽的导线辅助磁性写入装置

说明书

技术领域

本发明涉及磁性装置。更具体来说，本发明涉及这样一种磁性装置，其使用 一承载电流的导体来提供一辅助写入磁场的磁场。

背景技术

由于磁记录的储存密度不断地进步，以努力提高磁性储存装置的储存容量，所 以，记录装置的磁转变(即，比特)尺寸和关键特征正在被推向100nm以下。此 外，在较高区域密度下使记录介质达到稳定需要有磁性较硬(即，高的矫顽性) 的储存介质材料。磁性较硬的介质可以通过提高记录装置的磁性材料的饱和磁化 以增加施加到磁性介质上的磁场来进行写入。然而，最大的已知材料的饱和磁化 不足以维持比特区域密度的每年增长速率。

克服硬磁性介质的矫顽性的另一种方法是通过结合一写入辅助装置来提供较 强的写入磁场，该写入辅助装置邻近于写入极的末端，并形成一辅助磁场来克服 写入极附近的磁性介质的矫顽性。由于在辅助磁场与写入磁场相对的区域中消除 了来自写入极的杂散磁场，所以，写入极末端周围的磁场梯度得到提高。然而， 辅助磁场与写入磁场相对的区域通常离写入极末端一距离，因此，在转变写入到 磁性介质的区域内，梯度的提高受到限制。

发明内容

本发明涉及一种磁性装置，该磁性装置包括具有写入元件末端的写入元件和第 一返回元件，该第一返回元件在写入元件的尾侧上磁性地耦合到写入元件。靠近 写入元件末端的边缘定位的导体构造成产生辅助磁场，该辅助磁场增大由写入元 件产生的写入磁场。包括至少一个间隙的屏蔽从第一返回元件朝向写入元件末端 延伸。

附图说明

图1A是相对于一磁性介质设置的磁性写入器的截面图。

图1B是显示一导体的磁性写入器的详细截面图，该导体用来提供一相邻于包 括间隙的尾屏蔽的写入辅助磁场。

图2是一曲线图，其示出屏蔽间隙宽度变化对组合的来自写入极的写入磁场 和来自导体的辅助磁场的垂直分量的影响，该垂直分量作为下轨位置的函数。

图3A-3C是磁性写入器一部分的面对介质的表面图，示出尾屏蔽内间隙的示 范构造。

图4A和4B是磁性写入器的详细的截面图，示出尾屏蔽内间隙的示范位置。

图5A和5B是磁性写入器的详细的截面图，示出包括两个间隙的尾屏蔽。

图6A-6C是磁性写入器一部分的面对介质的表面图，示出包括两个间隙的尾 屏蔽的示范间隙构造。

图7A-7C是磁性写入器一部分的面对介质的表面图，示出示范的间隙构造以 提供部分地磁性解耦的屏蔽部分。

图8A-8C是磁性写入器一部分的面对介质的表面图，示出其它示范的间隙构 造。

具体实施方式

图1A是磁性写入器10的截面图，而图1B是磁性写入器10的详细截面图， 磁性写入器10包括写入极或元件12、承载电流的导体14、第一返回极或元件16、 第二返回极或元件18、第一导电线圈20以及第二导电线圈22。第一导体线圈20 包围第一磁性柱24，该第一磁性柱将写入极12磁性地耦合到第一返回极16。第 二导体线圈22包围第二磁性柱26，该第二磁性柱磁性地耦合写入极12和第二返 回极18。导体线圈20的一部分设置在写入极12和第一返回极14之间，而第二 导体线圈22的一部分设置在写入极12和第二返回极18之间。写入极12包括轭 30和具有写入极末端34的写入极体32。包括间隙38的屏蔽36从第二返回极18 朝向承载电流的导体14和写入极末端34延伸。

第一返回极16、第二返回极18、第一磁性柱24和第二磁性柱26可包括软磁 性材料(例如，NiFe)。导体线圈20和22可包括诸如Cu的低电阻的材料。写 入极体32可包括诸如CoFe的高磁矩的磁性材料，而轭34和屏蔽36可包括诸如 NiFe的软磁性材料以提高输送到写入极体32的磁通效率。