[发明专利]快闪存储器数据写入方法及其快闪存储器控制器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种快闪存储器数据写入方法，且特别是有关于一种具数据 保护机制的快闪存储器数据写入方法、其控制器及固态硬盘。

背景技术

数字相机、手机相机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储 媒体的需求也急速增加，由于快闪存储器(Flash Memory)具有数据非易失性、省 电、体积小与无机械结构等的特性，适合可携式应用，最适合使用于这类可携式由 电池供电的产品上。除了可携式产品内建存储器需要之外，对于小型存储卡与随身 碟等外接式产品来说，每个人可能同时拥有多个随身碟与小型存储卡，所以市场规 模较那些设备更大。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

随着快闪存储器由单层记忆单元(Single Level Cell，SLC)与非(NAND)快 闪存储器发展至多层记忆单元(Multi Level Cell，MLC)NAND快闪存储器，由于 MLC NAND快闪存储器物理特性的关系，在程序部分的页(page)时电荷较不稳定， 并且可能会影响到邻近的页，因此造成MLC NAND快闪存储器虽容量较大，但存储 可靠度较差的状况。此外，由于MLC NAND快闪存储器的可存储容量越来越大以逐 渐可作为一般硬盘的使用(例如固态硬盘)的发展趋势下，数据的可靠度更成为以 快闪存储器为存储媒体的固态硬盘能否成功的关键。

为了解决上述问题，有需要发展能够增加快闪存储器存取数据可靠度的一数 据写入方法。

发明内容

本发明提供一种数据写入方法，其能够在对MLC NAND快闪存储器的上页地址 写入数据时保护先前所写入的数据。

本发明提供一种快闪存储器控制器，其能够执行一种数据写入程序以在对MLC NAND快闪存储器的上页地址写入数据时保护先前所写入的数据。

本发明提出一种数据写入方法，其适用于多层记忆单元(Multi Level Cell， MLC)与非(NAND)快闪存储器中的区块，此区块包括多个上页地址与写入速度快 于此些上页地址的下页地址，此数据写入方法包括接收写入指令、判断在写入指令 中新数据的欲写入地址是否为区块的上页地址、当欲写入地址为区块的上页地址 时，则复制在此区块的下页地址中所记录的旧数据作为旧数据备份以及写入新数据 至欲写入地址中。

在本发明一实施例中，上述数据写入方法更包括在完成写入新数据至欲写入 地址中之后删除旧数据备份。

在本发明一实施例中，上述复制在区块的下页地址中所记录的旧数据包括复 制欲写入地址之前且为欲写入地址所对应下页地址及所对应下页地址之后的地址 中所记录的旧数据。

在本发明一实施例中，上述复制在区块的下页地址中所记录的旧数据包括复 制记录在欲写入地址所对应下页地址及该所对应下页地址之后一定笔数字地址中 所记录的旧数据。

在本发明一实施例中，上述复制在区块的下页地址中所记录的旧数据包括复 制记录在欲写入地址所对应下页地址中的旧数据。

在本发明一实施例中，上述数据写入方法更包括在MLC NAND快闪存储器的另 一区块中存储旧数据备份。

在本发明一实施例中，上述数据写入方法更包括当写入新数据至欲写入地址 且发生异常事件时判断旧数据是否发生损毁，其中倘若旧数据发生损毁时将旧数据 中发生损毁的旧数据所对应的旧数据备份以及未损毁的旧数据写入至MLC NAND快 闪存储器的另一区块中。

本发明提供一种快闪存储器控制器，其适用于具有多层记忆单元(Multi Level Cell，MLC)与非(NAND)快闪存储器的存储装置，其中MLC NAND快闪存储器中的 区块包括多个上页地址与写入速度快于此些上页地址的下页地址，此快闪存储器控 制器包括微处理单元、快闪存储器介面、缓冲存储器以及存储器管理模块。微处理 单元用以控制快闪存储器控制器的整体运作。快闪存储器介面用以存取MLC NAND 快闪存储器。缓冲存储器用以暂时地存储数据。存储器管理模块用以管理MLC NAND 快闪存储器，其中存储器管理模块会接收写入指令、判断写入指令中新数据的欲写 入地址是否为区块的上页地址、当该欲写入地址为区块的上页地址时则复制在区块 的下页地址中所记录的旧数据作为旧数据备份以及写入新数据至欲写入地址中。

在本发明一实施例中，上述存储器管理模块在写入新数据至欲写入地址中之 后删除旧数据备份。