[发明专利]用于柔性磁存储介质的读/写头有效
| 申请号: | 200810002958.9 | 申请日: | 2008-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN101226747A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
| 发明(设计)人: | 艾可·E·伊本;路易斯·H.·帕拉西斯;安德鲁·C.·丁 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/265 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李镇江 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 柔性 存储 介质 | ||
1.一种用于柔性磁存储介质的读/写头,该头包括:
至少一个模块,该模块包括:
晶片衬底;
在该衬底内形成的至少一个器件元件;以及
在所述至少一个模块之一上形成并且介于所述至少一个模块中的被选择的一个模块的器件元件和所述至少一个模块中的另一个模块的器件元件之间的射频屏蔽,该射频屏蔽减少由读数据的器件元件接收到的、由写数据的器件元件发出的辐射的幅值。
2.根据权利要求1的读/写头,其中所述射频屏蔽根据所述头的操作频率和被选择为构成该射频屏蔽的材料的趋肤深度形成尺寸。
3.根据权利要求2的读/写头,其中在所述头的操作频率下,构成所述射频屏蔽的材料的趋肤深度小于该材料的厚度。
4.根据权利要求2的读/写头,其中构成所述射频屏蔽的材料包括电磁和导电材料中的所选的一个。
5.根据权利要求1的读/写头,其中所述头包含多于两个的模块。
6.一种用于柔性磁存储介质的读/写头,该头包括:
耦合到基部上的至少一个模块,每个模块包括:
形成有磁带支承面的晶片衬底,在从柔性磁存储介质读数据或者向该介质写数据时该介质沿该磁带支承面被传递;
在该衬底内形成并且被安置在该磁带支承面的平面内的至少一个器件元件,该至少一个器件元件适于根据该介质在沿磁带支承面被传递时的行进方向从该介质中读数据或者向该介质写数据;和
耦合到该至少一个器件元件的至少一个器件元件焊盘;
耦合到该衬底并且介于所述至少一个模块中的被选择的一个模块的所述至少一个器件元件和所述至少一个模块中的另一个模块的所述至少一个器件元件之间的射频屏蔽,该射频屏蔽禁止读数据的所述至少一个器件元件接收到向介质写数据的所述至少一个器件元件发出的辐射;以及
耦合到至少一对器件元件焊盘的数据电缆,该数据电缆在其背面上具有接地平面,该接地平面配置成在该至少一个器件元件焊盘上方延伸。
7.根据权利要求6的读/写头,其中所述射频屏蔽根据所述头的操作频率和被选择为构成该射频屏蔽的材料的趋肤深度形成尺寸。
8.根据权利要求7的读/写头,其中在所述头的操作频率下,构成所述射频屏蔽的材料的厚度大于该材料的趋肤深度。
9.根据权利要求7的读/写头,其中构成所述射频屏蔽的材料包括透磁铁磁材料。
10.根据权利要求9的读/写头,其中构成所述射频屏蔽的所述透磁铁磁材料选自镍-铁合金、铝硅铁粉、铜合金、金合金和银合金。
11.根据权利要求8的读/写头,其中构成所述射频屏蔽的材料包含选自铜、金、铝和银的导电材料。
12.根据权利要求8的读/写头,其中所述射频屏蔽包含透磁铁磁材料和导电材料中的选择的一个的叠层结构。
13.根据权利要求6的读/写头,其中所述射频屏蔽具有与所述磁带支承面的平面相邻的上边缘。
14.根据权利要求6的读/写头,其中所述数据电缆的引线接合在至少一对所述器件元件焊盘上,从而数据电缆引线接合在每个器件元件焊盘上,数据电缆的引线使用导电粘合剂接合在器件元件焊盘上。
15.根据权利要求14的读/写头,其中所述数据电缆上的接地平面在所述至少一个器件焊盘和数据电缆引线上方延伸,以便禁止该数据电缆引线和器件元件焊盘接收到向所述介质写数据的所述至少一个器件元件生成的噪声。
16.根据权利要求7的读/写头,其中所述数据电缆上的接地平面接合在所述射频屏蔽上,以便进一步禁止读数据的所述至少一个器件元件接收到向所述介质写数据的所述至少一个器件元件生成的噪声。
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