[发明专利]层叠半导体封装

权利要求书

1.一种层叠半导体封装，包括：

基板，在其上表面上具有芯片选择焊垫和连接焊垫；

半导体芯片模块，包括在所述基板的上表面上的多个半导体芯片，每个半导体芯片在其上表面上包括：

数据结合焊垫；

芯片选择结合焊垫；

数据再分配单元，电连接到所述数据结合焊垫；以及

多个穿通电极，分别穿通所述每个半导体芯片，与所述基板相邻的半导体芯片中的穿通电极将该半导体芯片上的数据结合焊垫电连接到所述基板上的连接焊垫，除去与所述基板相邻的半导体芯片之外的各半导体芯片的穿通电极将相应的半导体芯片上的数据结合焊垫电连接到在下方相邻的半导体芯片上的数据再分配单元，其中所述半导体芯片被层叠以露出所述芯片选择结合焊垫；以及

导电引线，将所述芯片选择焊垫电连接到所述芯片选择结合焊垫。

2.根据权利要求1的层叠半导体封装，其中当层叠的半导体芯片的数量为2^N，且N是大于2的自然数时，每个半导体芯片包含N个芯片选择结合焊垫。

3.根据权利要求1的层叠半导体封装，还包括与所述芯片选择结合焊垫电连接的芯片选择再分配单元。

4.根据权利要求3的层叠半导体封装，其中部分所述穿通电极将所述芯片选择焊垫电连接到所述芯片选择再分配单元。

5.根据权利要求1的层叠半导体封装，其中所述芯片选择焊垫包括被施加接地电压的接地电压焊垫和被施加电源电压的电源电压焊垫。

6.根据权利要求1的层叠半导体封装，其中地址信号、功率信号、数据信号和控制信号被输入到所述数据再分配单元。

7.根据权利要求1的层叠半导体封装，其中导电连接构件夹置于所述数据再分配单元和所述穿通电极之间。

8.根据权利要求7的层叠半导体封装，其中所述导电连接构件是焊料。

9.一种层叠半导体封装，包括：

基板，具有连接焊垫和芯片选择焊垫；

多个半导体芯片，层叠在所述基板上方，每个所述半导体芯片具有置于其边缘上方的数据结合焊垫和芯片选择结合焊垫；

间隔物，夹置于每对相邻的半导体芯片之间，并使每对相邻的半导体芯片相互隔离；

多个穿通电极，分别穿过每个半导体芯片并与相对应的半导体芯片的数据结合焊垫电连接，相邻的半导体芯片中的穿通电极相互电连接，且与所述基板相邻的半导体芯片中的穿通电极电连接到所述连接焊垫；以及

导电引线，电连接所述芯片选择焊垫和所述芯片选择结合焊垫。

10.根据权利要求9的层叠半导体封装，其中每个穿通电极从所述半导体芯片相应地突出所述间隔物的厚度。

11.根据权利要求9的层叠半导体封装，其中所述穿通电极的长度基本上等于所述半导体芯片的厚度，并且导电连接构件夹置于被所述间隔物隔离的所述穿通电极之间。

12.根据权利要求11的层叠半导体封装，其中所述导电连接构件是焊料。

13.根据权利要求9的层叠半导体封装，其中当层叠的半导体芯片的数量为2^N，且N是大于2的自然数时，每个半导体芯片包括N个芯片选择结合焊垫和芯片选择再分配单元。

14.根据权利要求9的层叠半导体封装，其中所述芯片选择焊垫包括被施加接地电压的接地电压焊垫和被施加电源电压的电源电压焊垫。