[发明专利]非易失性存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200810002644.9 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101373711A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王嗣裕;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
1.一种非易失性存储器的制造方法，包括；
(a)形成绝缘材料层于基板上；
(b)形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；
(c)形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；
(d)形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及
(e)蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构，其中，在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中该含氮气体的环境为NO、N2O、NH3或ND3的环境。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中步骤(c)包括：
(c1)形成第三介电材料层在该电荷储存材料层上；
(c2)形成第二介电材料层于该第三介电材料层上，且该第二介电材料层包括氮；以及
(c3)形成第一介电材料层于该第二介电材料层上。
4.如权利要求3所述的制造方法，其中步骤(c1)包括：
沉积及氧化一硅化物材料于该电荷储存材料层上。
5.如权利要求3所述的制造方法，其中步骤(c2)包括：
沉积及氮化一硅化物材料于该第三介电材料层上。
6.如权利要求3所述的制造方法，其中步骤(c3)包括：
沉积及氧化一硅化物材料于该第二介电材料层上。
7.如权利要求1或2所述的制造方法，其中步骤(a)包括：
沉积及氧化一硅化物材料于该基板上。
8.如权利要求1或2所述的制造方法，其中步骤(b)包括：
沉积及氮化一硅化物材料于该绝缘材料层上。
9.如权利要求1或2所述的制造方法，其中步骤(d)及步骤(e)之间还包括：
离子注入该栅极电极材料层。
10.如权利要求1或2所述的制造方法，其中步骤(e)之后还包括：
离子注入该基板，以形成源极区、漏极区及沟道区，该沟道区隔开该源极区及该漏极区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
