[发明专利]存储器控制器、存储器芯片和用于操作存储单元集合的方法有效
申请号: | 200810001976.5 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101217057A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 林仲汉 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/00;G11B20/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 控制器 芯片 用于 操作 存储 单元 集合 方法 | ||
1.一种用于操作存储单元集合的方法,该存储单元集合包含多个存储单元,存储单元集合中的各个存储单元存储由特性参数的预设的值范围划界的至少一个可能的二进制值,其中,特性参数的值范围随时间偏移,该方法包括:
读出目标存储单元的特性参数的偏移值;
读出存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值;
从存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值产生用于可能的二进制值中的每一个的特性参数的概率分布函数;
对于可能的二进制值中的每一个,确定目标存储单元的特性参数的偏移值处于其概率分布函数中的概率;和
将目标存储单元的特性参数的偏移值转换成概率最高的二进制值。
2.根据权利要求1的方法,还包括通过将存储单元的特性参数的值设为可能的二进制值中的一个的预设值范围的中心,对存储单元集合中的各个存储单元进行编程。
3.根据权利要求1的方法,其中,通过使用最大可能性估计从存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值确定特性参数的概率分布函数中的每一个。
4.根据权利要求1的方法,其中,特性参数是动态随机存取存储器(DRAM)中的电荷存储变化。
5.根据权利要求1的方法,其中,特性参数是电可擦可编程只读存储器(EEPROM)中的浮动栅极的阈值电压变化。
6.根据权利要求1的方法,其中,特性参数是相变存储器(PCM)的电阻变化。
7.根据权利要求1的方法,其中,特性参数是电阻随机存取存储器(RRAM)的电阻变化。
8.根据权利要求1的方法,其中,特性参数是光存储装置的光折射率。
9.一种用于操作存储单元集合的存储器控制器,该存储单元集合包含多个存储单元,存储单元集合中的各个存储单元存储由特性参数的值范围划界的至少一个可能的二进制值,该方法包括:
用于接收存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的值的接收单元;和
用于对于存储单元集合的可能的二进制值中的每一个产生特性参数的概率分布函数的产生单元,该产生单元使用概率分布函数以确定目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围,并且该产生单元将目标存储单元的特性参数值转换成概率最高的二进制值。
10.根据权利要求9的存储器控制器,其中,存储器控制器与中央处理单元和存储单元集合分开。
11.根据权利要求9的存储器控制器,其中,接收单元包含将模拟信号转换成代表特性参数的数字信号的模拟读出放大器。
12.根据权利要求9的存储器控制器,其中,目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围由最大可能性估计量产生。
13.一种存储器芯片,包括:
包含多个存储单元的存储单元集合,存储单元集合中的各个存储单元存储由特性参数的值范围划界的至少一个可能的二进制值;
用于接收存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的值的接收单元;
用于对于存储单元集合的可能的二进制值中的每一个产生特性参数的概率分布函数的产生单元,该产生单元使用概率分布函数以确定目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围,并且该产生单元将目标存储单元的特性参数值转换成概率最高的二进制值。
14.根据权利要求13的存储器芯片,其中,多个存储单元集合被包含。
15.根据权利要求13的存储器芯片,其中,接收单元包含将模拟信号转换成代表特性参数的数字信号的模拟读出放大器。
16.根据权利要求13的存储器芯片,其中,目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围由最大可能性估计量产生。
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