[发明专利]用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构有效
| 申请号: | 200810001947.9 | 申请日: | 2008-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN101231884A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
| 发明(设计)人: | 汤玛斯·D.·汉普;龙翔澜;汤玛斯·尼斯曲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司;奇梦达股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/26 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 相变 存储器 电流 顺从 架构 | ||
1.一种存储装置,包括:
一存储单元,耦接一位线及一字线,并包含相变化材料,所述相变化材料具有与之相关的一数据状态;
一感测放大器,定义一感测节点;
一位线解码器,选择性耦接所述位线与所述感测节点,供定义一所选位线;
一电流源,产生一读取电流;
一切换器,耦接所述电流源以选择性施加所述读取电流于所述感测节点;
一电路,与所述切换器耦接并回应来自所述所选位线的一信号的电路,以控制所述所选位线所属存储单元中的相变化材料在所述读取电流存在时所被施加的能量,以使所述数据状态维持一致。
2.如权利要求1所述的存储装置,其中所述电路包括:
一检测器,所述检测器耦接所述感应节点,用以检测所述感测节点上的电压;
一逻辑电路,所述逻辑电路耦接所述检测器,用以控制所述切换器,所述切换器控制所述感应节点与所述电流源的电导通。
3.如权利要求1所述的存储装置,其中所述电路包括回应一读取致能信号的逻辑电路,所述读取致能信号表明一读取周期的一开始,所述逻辑电路控制所述切换器,用以选择性导通所述电流源与所述感测点,所述逻辑电路回应所述感测放大器的一输出,导致所述切换器结束所述电流源与所述感测点的电导通。
4.如权利要求1所述的存储装置,其中所述电流源包括一电流镜。
5.如权利要求1所述的存储装置,其中所述电流源包括一场效晶体管,其偏压以作为一定电流装置运作。
6.如权利要求1所述的存储装置,其中所述感测放大器包括一参考输入,以及包括供应一参考电压至所述参考输入的电路,其中所述参考电压具有多个数值,以及所述感测放大器适用于以一相对于所述多个数值的感测顺序,来感测所述感测节点的一电压,以检测来自一所选存储单元的数据的多个位。
7.如权利要求1所述的存储装置,包括多个感测放大器,所述多个感测放大器包括与所述感测节点平行耦接的所述感测放大器,所述多个感测放大器包括相应的感测输入,以及包括供应参考电压至带有多个数值的所述相应感测输入的电路,使所述多个感测放大器检测来自一所选存储单元的数据的多个位。
8.如权利要求1所述的存储装置,其中所述存储单元的特征为具有一相对较高电阻的数据状态,至少一相对中继电阻的数据状态,以及一相对较低电阻的数据状态,以及其中所述电路控制所述切换器以结束所述电流源与所述感测节点的电通信,以回应所述感测节点上一电压的强度足以确保所述相对较高电阻数据状态的适当感测的检测。
9.如权利要求1所述的存储装置,其中所述存储单元的特征为具有一相对较高电阻的数据状态,至少一相对中继电阻的数据状态,以及一相对较低电阻的数据状态,以及其中所述电路控制所述切换器以结束所述电流源与所述感测节点的电通信,以回应所述感测节点上一电压的强度足以确保所述存储单元的所述数据状态的适当感测的检测。
10.一种读取一存储单元的方法,所述存储单元包括相变化材料,而所述相变化材料具有与之相关的数据状态,所述方法包括:
施加一读电流至所述存储单元以读取所述数据状态;以及
控制所述相变化材料在所述读取电流存在期间所被施加的总能量,以使与所述相变化材料相关的所述数据状态维持一致。
11.如权利要求10所述的方法,其中控制还包括管理所述电流的一强度在一预定期间内处于预定的强度范围内。
12.如权利要求10所述的方法,其中控制还包括管理所述读取电流以避免将所述相变化材料的一部分结晶化到达定义与所述相变化材料相关的数据状态发生改变的程度。
13.如权利要求10所述的方法,其中控制还包括管理所述读取电流的强度及脉冲宽度,以避免将所述相变化材料的一部分结晶化到达定义与所述相变化材料相关的数据状态发生改变的程度。
14.如权利要求10所述的方法,包括耦接所述存储单元至一感测节点,以及其中所述施加包括连接一电流源至一感测节点,以及所述控制包括检测所述感测节点上的电压,以及将所述电流源与所述感测节点分离,以回应所述检测。
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