[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在包括用于形成多平面沟道的图案的衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积柱状多晶硅层，其中所述柱状多晶硅层填充所 述图案，所述柱状多晶硅层在650℃至800℃的温度下沉积并且主要由具有 初始的晶粒尺寸和晶体结构的柱状晶粒构成；和

实施热处理过程，其中在实施所述热处理过程之后，所述柱状晶粒 的初始的晶粒尺寸和晶体结构基本保持不变，使得在所述图案的下部在所 述柱状多晶硅层中形成的缝在所述热处理过程期间不移动。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述柱状多晶硅层利用化学气相沉 积方法沉积。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述化学气相沉积方法在单晶片型 腔室或炉内实施。

4.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述柱状多晶硅层包括实施单 一步骤形成过程。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述柱状多晶硅层注入有杂质。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述杂质包括磷(P)和硼(B) 中的一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案包括灯泡型凹陷区。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括单元区域和周边区 域，并且其中所述图案形成在所述单元区域中。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括其中将形成N-沟道 金属氧化物半导体(NMOS)的NMOS区和其中将形成P-沟道金属氧化 物半导体(PMOS)的PMOS区，并且其中所述图案形成在所述NMOS 区中。

10.根据权利要求1所述的方法，在实施所述热处理过程之后，还包括：

在所述柱状多晶硅层上形成基于金属的电极和硬掩模层；

对所述衬底结构实施第一蚀刻，以便蚀刻所述硬掩模层直至所述柱 状多晶硅层的一部分，由此形成第一所得结构；

在所述第一所得结构上形成覆盖层；

对所述覆盖层实施回蚀刻过程；

对残余的柱状多晶硅层实施第二蚀刻；和

对残留的柱状多晶硅层实施选择性氧化。

11.根据权利要求1所述的方法，其中实施所述热处理过程包括在600℃ 至1000℃的温度下实施快速热处理过程。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底的单元区域中形成用于形成多平面沟道的图案，其中所述衬 底包括其中将形成N-沟道金属氧化物半导体(NMOS)的所述单元区域和 其中将基本同时形成NMOS和P-沟道金属氧化物半导体(PMOS)的周 边区域；

在所述衬底结构上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成柱状多晶硅层，其中所述柱状多晶硅层填充所 述图案；

在将形成NMOS的柱状多晶硅层的部分中注入N-型杂质；

在将形成PMOS的柱状多晶硅层的部分中注入P-型杂质；和

实施热处理过程。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述柱状多晶硅层在650℃至 800℃温度下形成。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述柱状多晶硅层利用化学气相 沉积方法形成。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述化学气相沉积方法在单晶片 型腔室或炉内实施。

16.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述柱状多晶硅层包括实施 单一步骤形成过程。

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述柱状多晶硅层包括原位 注入杂质。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述杂质包括磷(P)。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述图案包括灯泡型凹陷区。