[发明专利]耐潮电光器件

权利要求书

1.一种电光器件，包括基片、偏压电极结构、射频电极结构和缓冲层，其中，

所述基片内具有光波导；

所述偏压电极结构用于在光波导中生成低频电场或直流电场，所述偏压电极结构包括第一偏压电极，所述第一偏压电极具有第一部分和第二部分，所述第一部分包括一个条带，所述条带基本与所述光波导对齐，所述第一部分的光透性高于所述第二部分的光透性；

所述射频电极结构用于在所述光波导中生成射频电场，所述射频电极结构包括第一射频电极；以及

所述缓冲层位于所述第一射频电极与所述第一偏压电极之间。

2.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一部分包括第一材料，所述第二部分包括第二材料，以及所述第一材料的电阻率高于所述第二材料。

3.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一部分包括具有第一厚度的第一层，所述第二部分包括具有第二厚度的第二层，以及所述第一厚度小于所述第二厚度。

4.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一部分包括氮化硅钽层和氮化硅钛层二者中的一种，所述氮化硅钽层和氮化硅钛层在25℃下的电阻率约高于10⁶欧/厘米(Ω/cm)。

5.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一部分包括氮化硅钽层和氮化硅钛层二者中的一种，所述氮化硅钽层和氮化硅钛层的厚度小于150。

6.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第二部分包括置于光波导第一侧的第一分段。

7.如权利要求6所述的电光器件，其中所述第二部分包括置于光波导第二相对侧的第二分段。

8.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一偏压电极和所述第一射频电极均基本与所述光波导对齐。

9.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一部分包括In₂O₃层、SnO₂层和ZnO层三者中的一种，所述In₂O₃层、SnO₂层和ZnO层厚度小于150。

10.如权利要求1所述的电光器件，包括置于所述第一射频电极与缓冲层之间的渗漏层。

11.如权利要求10所述的电光器件，其中所述渗漏层包括氮化硅钽和氮化硅钛二者中的一种，并且其中所述第一射频电极在没有粘附层时被沉积在所述渗漏层上。

12.如权利要求1至11中任何一项所述的电光器件，其中所述第二部分包括氮化硅钽层和氮化硅钛层二者中的一种，所述氮化硅钽层和氮化硅钛层的电阻率在～10⁴欧/厘米～10⁶欧/厘米之间。

13.如权利要求1至11中任何一项所述的电光器件，其中所述第一偏压电极与所述第一射频电极直流隔离。

14.如权利要求1至11中任何一项所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括第一偏压信号电极，所述第一偏压信号电极具有第一组多个延长分段。

15.如权利要求14所述的电光器件，其中所述第一组多个延长分段中的每一分段均被耦合至一个公共偏压电极。

16.如权利要求15所述的电光器件，其中所述公共偏压电极被耦合至沿其长度方向布置的一个高导电率条带。

17.如权利要求15所述的电光器件，其中所述公共偏压电极通过多条馈线被耦合至所述第一组多个延长分段，所述馈线延伸至第二偏压信号电极的第二组多个延长分段。

18.如权利要求15所述的电光器件，其中所述公共偏压电极通过多条馈线耦合至所述第一组多个延长分段，所述馈线间的间距取决于预定的所述偏压电极结构频率响应。

19.如权利要求1至11中任何一项所述的电光器件，其中所述电光基片包括Z向切割型铌酸锂和Z向切割型钽酸锂二者中的一种。

20.如权利要求1至11中任何一项所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括至少一层由电阻率高于所述第一射频电极的电阻率而低于所述基片的电阻率的材料生成的层。

21.一种加工电光器件的方法，包括：

提供在其内具有光波导的基片；其中

在所述基片上生成第一偏压电极层，所述第一偏压电极层被加工成提供一个与所述光波导基本对齐的条带；

在所述第一偏压电极层和所述基片二者中至少一个上生成第二偏压电极层，所述第二偏压电极层被加工成包括至少一个相对所述光波导中心具有横向偏移的条带，所述第一偏压电极层的光透性高于所述第二偏压电极层的光透性；

在所述第一偏压电极层和所述第二偏压电极层上生成一个缓冲层；并且

在所述缓冲层上生成一个射频电极层，所述射频电极层被加工成包括第一射频电极。