[发明专利]耐潮电光器件

权利要求书

1.一种电光器件，其包括：

电光基片，在所述电光基片中形成光波导；

射频电极结构，其被布置用于在所述光波导中生成射频电场，所述射频电极结构包括第一射频电极；

第一缓冲层，其被布置在所述基片与所述第一射频电极之间；

偏压电极结构，其被布置用于在所述光波导中生成低频或直流电场，所述偏压电极结构包括第一偏压电极，所述第一偏压电极至少部分被布置在所述第一缓冲层与所述第一射频电极之间；以及

第二缓冲层，其被布置在所述第一射频电极与所述第一偏压电极之间。

2.如权利要求1所述的电光器件，其中，对所述第一缓冲层的厚度进行选取，以使被置于所述第一缓冲层与所述第一射频电极之间的所述第一偏压电极的一部分显著提高光波导中所生成的低频或直流电场。

3.如权利要求1所述的电光器件，其中，所述第一缓冲层的导电性高于所述第二缓冲层。

4.如权利要求3所述的电光器件，其中所述第一缓冲层包括掺杂SiO₂层。

5.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括下部和上部，所述下部与所述电光基片接触，而所述上部至少部分覆盖所述第一缓冲层。

6.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一缓冲层包括至少一个基本与所述光波导对齐的带线。

7.如权利要求6所述的电光器件，其中所述第一偏压电极基本封装所述至少一个带线。

8.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一偏压电极的横截面大致为方括号形、L形、E形和T形中的一种。

9.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一缓冲层在所述电光基片上方被平坦化，并作为所述第一偏压电极与所述电光基片之间的隔离层。

10.如权利要求1所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括两个平行带线。

11.如权利要求1-10中任何一项所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括具有第一电阻率的第一材料，所述第一射频电极包括具有第二电阻率的第二材料，且所述第一电阻率高于所述第二电阻率。

12.如权利要求1-10中任何一项所述的电光器件，其中所述电光基片包括Z切铌酸锂和Z切钽酸锂中的一个。

13.如权利要求1-10中任何一项所述的电光器件，还包括渗漏层，所述渗漏层被置于所述第一射频电极与所述第二缓冲层之间。

14.如权利要求13所述的电光器件，其中所述渗漏层包括氮化硅钽，且其中所述第一射频电极在没有粘附层时被沉积在所述渗漏层上。

15.如权利要求1-10中任何一项所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括氮化硅钽。

16.如权利要求1-10中任何一项所述的电光器件，其中，将所述第一偏压电极与所述第一射频电极进行直流隔离。

17.如权利要求1-10中任何一项所述的电光器件，其中所述第一偏压电极包括具有第一组多个延长段的第一偏压信号电极。

18.如权利要求17所述的电光器件，其中所述第一组多个延长段中的每一段均被耦合至公共偏压电极。

19.如权利要求18所述的电光器件，其中所述公共偏压电极被耦合至沿其长度方向布置的高导电性带线。

20.如权利要求18所述的电光器件，其中，所述公共偏压电极通过多条馈线被耦合至所述第一组多个延长段，所述多条馈线延伸通过第二偏压信号电极的第二组多个延长段。

21.如权利要求18所述的电光器件，其中所述公共偏压电极通过多条馈线被耦合至所述第一组多个延长段，所述多条馈线间的间距取决于所述偏压电极结构的预定频率特性。