[发明专利]静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺

权利要求书

1、静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺，其特征为静电感应器件制造中的染磷工艺为：在900—1000℃下，用N₂和O₂的混合气体通入管道，然后通三氯氧磷进行染磷，关三氯氧磷源后继续用N₂和O₂的混合气体通入管道，取出硅片，硅片不去除磷—硅玻璃直接送入氧化炉中湿氧氧化，即得符合规格的染磷硅片。

2、根据权利要求1所述的静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺，其特征为与静电感应器件制造中的染磷技术相匹配的外延工艺为：采用SiCl₄氢还原法，在1180—1185℃下，SiCl₄源温控制在15—20℃，外延生长速率控制在0.5—0.8μm/min，外延生长前先吹H2驱赶反应室内的杂质4—6min，不掺杂外延生长1—2min，生长0.5—1.5μm的本征外延，用以封闭硅片表面，防止杂质再挥发，再吹H₂2—4min进一步驱赶杂质，接着本征生长不掺杂的外延层15—25min，即可得到符合规格的n^-外延片。

3、根据权利要求1所述的静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺，其特征为染磷技术在扩磷工序中进行。