[发明专利]一种高频高温低损耗MnNiZn铁氧体材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810000481.0 申请日: 2008-01-14
公开(公告)号: CN101486567A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 王永安;庄彦军 申请(专利权)人: 王永安;庄彦军
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518040广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 高温 损耗 mnnizn 铁氧体 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域:

发明涉及材料技术,具体涉及一种铁氧体材料的制备方法。

背景技术:

目前铁氧体材料的制备工艺是很透明的,一般铁氧体材料的制备 工艺需要经过:配方、一次球磨、预烧、掺杂、二次球磨、烧结等等。 这些工艺的目的都是增大材料的晶界电阻率,降低高频下的涡流损 耗,从而达到降低高频高温条件下损耗的目的。但是目前公开的各种 制备工艺对上述的目的都不能达到很好的效果。

发明内容:

本发明的目的是提供一种高频高温低损耗MnNiZn铁氧体材料的 制备方法,它能够增大材料的晶界电阻率,降低高频下的涡流损耗, 从而达到降低高频高温条件下损耗的目的。在超过100℃的较高温度 下功率损耗最低,各项技术指标良好。

为了解决背景技术所存在的问题,本发明采用以下工艺:1、52~ 58mol%Fe↓[2]O↓[3],3~9mol%ZnO,0.5~5mol%NiO,35~45 mol%MnCO↓[3]球磨混合均匀;2、将步骤1所得粉料在900~1000℃ 温度下预烧;3、将步骤2所得料粉按质量比加入以下添加剂:0.01~ 0.2wt%CaO、0.01~0.2wt%SnO↓[2]、0.01~0.2wt%ZrO↓[2]0.01~ 0.2wt%V↓[2]O↓[5],并再次球磨,使球磨后的粉料粒径达到亚微米 级;4、成型;5、烧结。本发明采用适当的配方、加大添加剂掺入量, 以及在氧化气氛条件下烧结的特点,增大材料的晶界电阻率,降低高 频下的涡流损耗,从而达到降低高频高温条件下损耗的目的。

具体实施方式:

本具体实施方式采用以下工艺:1、55mol%Fe↓[2]O↓[3], 4.5mol%ZnO,1.5mol%NiO,39mol%MnCO↓[3]球磨混合均匀;2、 将步骤1所得粉料在950℃温度下预烧;3、将步骤2所得料粉按质 量比加入以下添加剂:0.02wt%CaO、0.04wt%SnO↓[2]、0.02wt%ZrO ↓[2]0.05wt%V↓[2]O↓[5],并再次球磨,使球磨后的粉料粒径达到 亚微米级;4、成型;5、烧结。所述的步骤4成型:将步骤3所得料 粉加入8wt%的有机黏合剂,混匀造粒按需要的形状尺寸成型。所述 的步骤5烧结:将步骤4制得的坯件放置在气氛烧结炉中,在氧分压 为5%的平衡气氛,1320℃烧结2.5小时。本具体实施方式采用适当 的配方、加大添加剂掺入量,以及在氧化气氛条件下烧结的特点,增 大材料的晶界电阻率,降低高频下的涡流损耗,从而达到降低高频高 温条件下损耗的目的。

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