[发明专利]不含磷的基于氮化物的红和白发光二极管的制造

权利要求书

1.一种用于发光二极管的多量子阱(MQW)结构，该多量子阱结构包括：

多个形成在基板上的量子阱结构，每个量子阱结构包括：势垒层；以及形成 于势垒层上的阱层，所述阱层中嵌有量子点纳米结构，势垒层和阱层包括第一基 于金属氮化物的材料；

并且其中，量子阱结构中的至少一个还包括形成于阱层上的盖层，该盖层包 括第二基于金属氮化物的材料，所述第二基于金属氮化物的材料具有与第一基于 金属氮化物的材料不同的金属元素。

2.如权利要求1所述的多量子阱结构，其中：

各量子阱结构还包括浸润层，其形成于势垒层和阱层之间以增强量子点纳米 结构的形成。

3.如权利要求1或2所述的多量子阱结构，其中：

量子阱结构中的所述至少一个还包括形成于盖层上的第二盖层，所述第二盖 层包括第三基于金属氮化物的材料，所述第三基于金属氮化物的材料具有与第二 基于金属氮化物的材料不同的金属成分。

4.如权利要求1所述的多量子阱结构，该多量子阱结构还包括：

形成于该多个量子阱结构中的最外侧那个上的p型触点结构，该p型触点结 构包括电子阻挡层和形成于该电子阻挡层上的p型金属氮化物层。

5.如权利要求4所述的多量子阱结构，其中：

p型金属氮化物层包括铟(In)材料。

6.如权利要求5所述的多量子阱结构，其中：

利用介于750℃-800℃之间的温度形成该p型金属氮化物层。

7.如权利要求1所述的多量子阱结构，该多量子阱结构还包括：

n型接触层，其用于与位于该多个量子阱结构下方的n⁺层形成电接触。

8.如权利要求1所述的多量子阱结构，该多量子阱结构能够发射红/黄光。

9.如权利要求1所述的多量子阱结构，该多量子阱结构能够发射红光。

10.如权利要求1所述的多量子阱结构，其中：

该盖层包括氮化铝(AlN)材料。

11.如权利要求1所述的多量子阱结构，其中：

盖层的厚度保持最大为3nm。

12.如权利要求1所述的多量子阱结构，其中：

量子点纳米结构包括氮化铟镓(InGaN)量子点。

13.一种发光二极管结构，该发光二极管结构包括：

形成在基板上的发红/黄光的多量子阱(MQW)结构，该发红/黄光的多量子 阱中的每个量子阱结构包括：势垒层；以及形成于势垒层上的阱层，所述阱层中 嵌有量子点纳米结构，势垒层和阱层包括第一基于金属氮化物的材料；

以及其中，该发红/黄光的多量子阱的量子阱结构中的至少一个还包括形成 于阱层上的盖层，该盖层包括第二基于金属氮化物的材料，所述第二基于金属氮 化物的材料具有与第一基于金属氮化物的材料不同的金属元素；

以及该发光二极管结构还包括发蓝光的多量子阱结构，其与发红/黄光的多 量子阱形成一体以从该发光二极管结构中发出白光。

14.如权利要求13所述的发光二极管结构，其中：

该发蓝光的多量子阱结构形成在发红/黄光的多量子阱结构的多个量子阱 结构中的最外侧那个上。

15.如权利要求13所述的发光二极管结构，其中：

发红/黄光的多量子阱结构的多个量子阱结构中的最内侧那个形成在发蓝光 的多量子阱结构上。

16.如权利要求13-15中任一项所述的发光二极管结构，其还包括：

n型接触层，其用于与位于发红/黄光和发蓝光的多量子阱结构下方的n⁺层形成电接触；以及形成在发红/黄光的多量子阱结构和发蓝光的多量子阱结 构上的相应的p型触点结构，该p型触点结构分别包括电子阻挡层和形成于该电 子阻挡层上的p型金属氮化物层。