[发明专利]超薄型声换能器

权利要求书

1.一种超薄型声换能器，包括：

第一磁铁，该第一磁铁为竖直磁铁；

第二磁铁，该第二磁铁为水平磁铁，且形成为距第一磁铁有预定的气隙；

中心轭铁，该中心轭铁与第一磁铁的下部耦合；

外轭铁，该外轭铁与第二磁铁的侧表面耦合，并且还与中心轭铁耦合；

线圈部分，该线圈部分至少部分地插入到所述气隙中；

振膜，在该振膜上安装有所述线圈部分；

保护装置，用于保护所述振膜；以及

框架，用于至少支撑所述外轭铁和所述保护装置。

2.如权利要求1所述的超薄型声换能器，其中，在第一磁铁与第二磁铁之 间在所述气隙中形成有第一磁路，而在第二磁铁与第一磁铁之间在所述中心轭 铁和外轭铁中形成有第二磁路，由第一磁铁和第二磁铁、中心轭铁和外轭铁构 成闭合磁路。

3.如权利要求2所述的超薄型声换能器，其中，在所述第一磁路中，磁通 量在第二磁铁的侧面与第一磁铁的上表面之间流动。

4.如权利要求1所述的超薄型声换能器，其中，所述第二磁铁成对地形成 在第一磁铁的两个侧表面上。

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的超薄型声换能器，其中，在所 述第一磁铁的上部分设置有顶板。

6.如权利要求5所述的超薄型声换能器，其中，所述第一磁路形成在第二 磁铁与顶板之间。

7.如权利要求1至4中任一权利要求所述的超薄型声换能器，其中，第一 磁铁的上表面被置为低于第二磁铁的上表面。

8.一种超薄型声换能器，包括：

轭铁，该轭铁具有中心部分和外围部分，该外围部分限定出围绕该中心部 分对称的空间；

第一磁铁，该第一磁铁为与该中心部分的上部分耦合的竖直磁铁；

第二磁铁，该第二磁铁为水平磁铁，该水平磁铁在所述空间中与第一磁铁 一起限定出气隙，并且与所述外围部分的内表面耦合；

线圈部分，该线圈部分部分地插入到所述气隙中；

振膜，该振膜上安装有所述线圈部分；

保护装置，用于保护所述振膜；以及

框架，用于至少支撑所述轭铁和所述保护装置。

9.如权利要求8所述的超薄型声换能器，其中，在所述空间中的第二磁铁 与第一磁铁之间在所述气隙中形成有第一磁路，而在第一磁铁与第二磁铁之间 在所述中心部分和外围部分中形成有第二磁路，由第一磁铁和第二磁铁以及轭 铁构成闭合磁路。

10.如权利要求9所述的超薄型声换能器，其中，在所述第一磁路中，磁 通量在第二磁铁的侧面与第一磁铁的上表面之间流动。

11.如权利要求8所述的超薄型声换能器，其中，所述第二磁铁成对地形 成在第一磁铁的两个侧表面上。

12.如权利要求8至11中任一权利要求所述的超薄型声换能器，其中，在 所述第一磁铁的上部分设置有顶板。

13.如权利要求12所述的超薄型声换能器，其中，所述第一磁路形成在所 述空间中的第二磁铁与所述顶板之间。

14.一种超薄型声换能器，包括：

第一磁铁；

第二磁铁，所述第二磁铁形成为距所述第一磁铁有预定的气隙，且具有与 所述第一磁铁的磁化方向垂直的磁化方向，且在所述第一磁铁与所述第二磁铁 之间的所述气隙中形成有第一磁路；

中心轭铁，所述中心轭铁与所述第一磁铁的下部耦合；

外轭铁，所述外轭铁与所述第二磁铁的侧表面耦合，并且还与中心轭铁耦 合；

线圈部分，该线圈部分至少部分地插入到所述气隙中；

振膜，该振膜上安装有所述线圈部分；并且，

在第二磁铁与第一磁铁之间在所述中心轭铁和外轭铁中形成有第二磁路。

15.如权利要求14所述的超薄型声换能器，其中，所述第一磁铁为竖直磁 铁，而所述第二磁铁为水平磁铁。