[发明专利]制造封接区域的方法和由此制造的放电灯

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于制造封接区域，特别是用于放电灯的放电容器 的封接区域的方法，并且涉及一种放电灯，特别是具有由此制造的封接 区域的高压放电灯。

现有技术

现有技术例如EP 07 679 68公开了一种放电灯的制造方法，其中按 如下方法制造布置在放电容器上的至少一个封接区域：形成第一密封和 随后形成第二密封，其中所述第一密封由自身收缩的放电容器材料区域 构成，所述第二密封由挤压(quetschen)构成。

所述收缩的密封完全封闭伸入放电容器中的电极和给电极提供电 流的供电元件之间的连接，而所述挤压仅在供电元件的外部区域上延 伸。

所述供电元件自身有利地是由钼制造的金属箔，其包含涂层以使钼 在与氧接触时其氧化降至最低。

例如由DE 102 00 005已知这种经涂布的钼箔的制造方法。

然而，这类已知的放电灯的缺点是，使用经涂布的钼箔存在风险， 即在制造时污染电极的纯度或者弄脏放电容器的内部。

然而，如由现有技术已知的，还可以使用制造成两部分的具有涂布 侧和未涂布侧的箔，其中所述未涂布一侧与电极连接，由此避免污染电 极。然而，这种箔的制造昂贵且费时间。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种制造放电灯的方法，所述方法 一方面是经济的，另一方面将制造过程中污染的风险降至最低。

所述目的通过一种制造包括第一封接区域段和第二封接区域段的 封接区域的方法来实现，其中在制造所述第一封接区域段和第二封接区 域段之间将材料包封物，特别是涂层施加到待封接到封接区域中的元件 上，和/或将气体包封物施加到待封接的元件上。

有利的是，中断的封接过程可以确保防止电极或放电容器被涂覆材 料污染，其原因是第一封接区域段的形成紧密地密封放电容器和供电元 件与电极之间的连接。另一方面，后续涂层的使用和随后第二封接区域 段的形成可以可靠地防止钼的氧化过程。

所述封接本身可以根据现有技术中已知的所有方法来进行，特别是 通过利用火焰、激光辐照或等离子体辐照局部加热或者通过形成挤压来 进行，所述方法还可以组合进行。还可以通过不同的方法制造所述第一 和第二封接区域。在本发明的上下文中，封接区域是指在成品灯中与待 封入的物体直接接触的区域。

除了所述涂层或者代替所述涂层，更有利的是引入气体，所述气体 适于在形成第二封接区域段期间与所述供电元件反应。另外有利的是， 在形成第一封接区域段和形成第二封接区域段之间留出不熔合在一起 且可填充具有任意期望组成的气体的区域。

此外，中断的封接区域制造过程的优点是，对第二封接区域段的形 成没有类似于形成第一封接区域段的同样严格的要求。这样，特别是在 通过挤压提供第二封接区域段时，可以以更快和因此更经济的方式进行 加工。

其它优点和有利的实施方案在从属权利要求、说明书和附图中说 明。

附图说明

下面依据附图更详细地说明本发明。所述附图无意将保护范围限制 于附图中以举例方式示出的示例性实施方案，附图中：

图1A-1D显示根据本发明的制造步骤的示意性说明，其中制造步骤 在图A至D中示出。

优选实施方案

图1示意性地示出了用于制造图A至D中根据本发明的封接区域的 方法步骤。

为了清楚起见，因为放电灯是对称构造的，所以在图中只示出了其 中布置有封接区域和供电元件的放电容器的右侧。左侧以类似的方式形 成。

图1A示出具有放电区域4的放电容器2，电极6、8从相对侧上伸 入所述放电区域4中。有利地，所述放电容器由石英玻璃制成，所述石 英玻璃的至少98重量％由SiO₂组成。

图1A还示出布置在放电室右边的管状封接区域10，其在封接之后 包括第一封接区域段12和第二封接区域段14，不过在图1A中还没有 形成这两个封接区域段。图1A还示出，所述放电容器2在其右端上具 有末端16。所述末端可以通过所述管状封接区域的实际闭合来提供。然 而，所述末端还可以只通过例如在制造机器中与阀门连接来间接形成。