[发明专利]太阳电池单元

权利要求书

1.一种太阳电池单元，具有由硅单结晶构成的半导体基材，以及可产生在该半导体基材 表面部介隔着扩散层而形成的光电动势的pn接合，其特征在于：

在邻接于上述pn接合之处，形成由经掺杂杂质并具有杂质浓度为(1～3)x10²⁰cm^-3的p⁺型导电层与具有杂质浓度为(4～5)x10²⁰cm^-3的n⁺型导电层所构成的p⁺n⁺接合，而该p⁺n⁺接合 具由隧穿效应所产生的反向二极管特性；

并具有当上述太阳电池单元被朝反方向施加偏压时，会通过上述p⁺n⁺接合而流通基于上 述反向二极管特性的反向电流的反向导通特性。

2.根据权利要求1的太阳电池单元，其特征在于，上述pn接合为pn⁺接合或p⁺n接合。

3.根据权利要求1的太阳电池单元，其特征在于，上述半导体基材形成为球状，在距该 半导体基材表面一定深度位置处，设有实质上为球面状的上述pn接合；

并设有隔着上述半导体基材中心而相对向的一对电极，其为连接于上述pn接合二端的一 对电极。

4.根据权利要求3的太阳电池单元，其特征在于，上述p⁺n⁺接合设置于其中一电极的外 周附近部中，较上述电极更靠近半导体基材侧部分。

5.根据权利要求3的太阳电池单元，其特征在于，上述半导体基材由p型半导体构成， 而介隔着该半导体基材表面部所形成的作为上述扩散层的n⁺型导电层而形成上述pn接合； 上述p⁺n⁺接合的至少一部分是由在其中一电极的上述半导体基材侧的内面部所形成的p⁺型 导电层、以及该p⁺型导电层所接触的上述n⁺型导电层的部分所形成。

6.根据权利要求4的太阳电池单元，其特征在于，上述电极为形成为面积大于上述p⁺n⁺接合。

7.根据权利要求5的太阳电池单元，其特征在于，上述p⁺n⁺接合的至少一部分是由接合 于另一电极的n⁺型导电层部分、及接合于该n⁺型导电层部分的p⁺型导电层所构成。

8.根据权利要求1或2的太阳电池单元，其特征在于，上述半导体基材形成为圆柱状， 在距该半导体基材表面一定深度位置处，设置实质上为圆筒状的pn接合。

9.根据权利要求5的太阳电池单元，其特征在于，在上述其中一电极内面部所形成的p⁺型导电层是由再结晶层所形成；该再结晶层是由上述其中一金属制电极与上述半导体基材 的共晶反应而形成。

10.根据权利要求1或2的太阳电池单元，其特征在于，上述半导体基材形成为平板状， 在该半导体基材靠太阳光入射侧的单面附近部介隔着上述扩散层而形成上述pn接合，在上 述半导体基材的上述单面以及与该单面相反的相反侧面上形成格子状的电极，在上述半导 体基材的上述单面上形成未被上述格子状的电极所遮光的受光窗；

在上述半导体基材中在上述单面侧的电极背面侧部分形成与该半导体基材相同的导电型 的导电层；

上述单面侧的电极背面侧部分介隔着上述与该半导体基材相同的导电型的导电层而形成 由p⁺型导电层与n⁺型导电层所构成的上述p⁺n⁺接合。