[发明专利]二氧化硅物质的电化学检测有效
| 申请号: | 200780053577.7 | 申请日: | 2007-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN101765767A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
| 发明(设计)人: | 约瑟夫·王;阿瑞斯托特里斯·蒂米特拉克宝罗斯;塞利娜·勒尼尼文;史蒂芬·马比克 | 申请(专利权)人: | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会;米利波尔公司 |
| 主分类号: | G01N27/42 | 分类号: | G01N27/42 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;阴亮 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二氧化硅 物质 电化学 检测 | ||
1.使用电化学检测来检测无机二氧化硅物质的方法,包括:
向缓冲溶液施加电压,所述缓冲溶液含有金属钼-氯冉酸盐复合物 并且没有待检测的无机二氧化硅物质;
在不存在所述无机二氧化硅物质的情况下,测量与所述金属钼- 氯冉酸盐复合物相关的第一电流;
将所述无机二氧化硅物质添加到所述缓冲溶液中;
在存在所添加的无机二氧化硅物质的情况下,测量与所述金属钼- 氯冉酸盐复合物相关的第二电流;以及
获得所述第一电流和所述第二电流之间的差值,以识别在所述缓 冲溶液中所添加的无机二氧化硅物质的浓度。
2.如权利要求1的所述方法,其中,测量所述第一电流和所述第 二电流包括施加由扫描电位跟随的富集电位。
3.如权利要求2的所述方法,其中,所述施加富集电位包括施加 包括0.5伏特幅度的富集电位。
4.如权利要求2的所述方法,其中,所述施加富集电位包括在包 括60秒的时间段施加富集电位。
5.如权利要求2的所述方法,其中,施加扫描电位包括施加具有 25毫伏幅度、4毫伏跨步电势和25赫兹频率中至少之一的扫描电位。
6.如权利要求1的所述方法,其中,测量所述第一电流和所述第 二电流包括使用含有铋、金、碳或汞中至少之一的工作电极。
7.如权利要求6的所述方法,其中,使用工作电极测量所述第一 电流和所述第二电流包括包括使用丝网印刷电极。
8.如权利要求1的所述方法,其中,测量所述第一电流和所述第 二电流包括测量伏安信号。
9.如权利要求8的所述方法,其中,测量所述伏安信号包括使用 溶出伏安计。
10.如权利要求9的所述方法,其中,使用溶出伏安计测量所述 伏安信号包括使用一次性的溶出伏安计。
11.用于使用电化学检测来检测无机二氧化硅物质的系统,包括:
检测装置,所述检测装置包括:
容器,配置为在所述容器中至少部分地盛放溶液,所述溶液 含有金属钼-氯冉酸盐复合物;和
导电元件,其至少部分浸入所述溶液中,其中,所述容器、 所述溶液和所述导电元件配置为测量第一电流和第二电流,所述第一 电流对应于在不存在无机二氧化硅物质的情况下的所述金属钼-氯冉 酸盐复合物,第二电流对应于在存在无机二氧化硅物质的情况下的所 述金属钼-氯冉酸盐复合物;以及
数据处理装置,所述数据处理装置配置为:
从所述检测装置接收所测量的第一电流和第二电流;以及
获得所述第一电流和所述第二电流之间的差值,以识别所述 无机二氧化硅物质的浓度。
12.如权利要求11的所述系统,其中,所述导电元件包括铋、金、 碳或汞中至少之一。
13.如权利要求11的所述系统,其中,所述导电元件包括丝网印 刷电极。
14.如权利要求11的所述系统,其中,将所述检测装置配置为溶 出伏安计。
15.如权利要求14的所述系统,其中,所述溶出伏安计包括一次 性的溶出伏安计。
16.如权利要求11的所述系统,其中,所述检测装置配置为通过 施加由扫描电位跟随的富集电位来测量所述第一电流和所述第二电 流。
17.使用电化学检测来检测无机二氧化硅物质的方法,包括:
在不存在目标非电活性二氧化硅物质材料的情况下,检测电活性 钼-氯冉酸盐复合物材料的第一电活性;
在存在所述目标非电活性二氧化硅物质材料的情况下,检测所述 电活性钼-氯冉酸盐复合物材料的第二电活性;
获得所述第一电活性和所述第二电活性之间的差值;以及
根据所获得的差值,识别所述目标非电活二氧化硅物质性材料的 浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会;米利波尔公司,未经代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会;米利波尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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