[发明专利]具有气相沉积膜的塑料成形品及生产该成形品的方法有效

专利信息
申请号: 200780053214.3 申请日: 2007-07-26
公开(公告)号: CN101678642A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 伊藤卓郎;森拓己;中尾浩;山崎和彦 申请(专利权)人: 东洋制罐株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B65D23/08;C23C16/30
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有气 沉积 塑料 成形 生产 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及具有气相沉积膜的塑料成形品以及生产该成 形品的方法,其中该气相沉积膜是通过等离子体CVD法在塑料 成形品的表面形成的。

背景技术

为了改进各种基材的性质,已尝试通过离子体CVD法在它 们的表面形成气相沉积膜。在包装材料领域中,通过等离子体 CVD法在塑料基材如容器上形成气相沉积膜以提高气体阻隔 性是常见的作法。例如,已知以下方法,所述方法使用有机硅 化合物和氧的混合气体作为反应气体,通过等离子体CVD法在 塑料容器如PET瓶的表面形成氧化硅气相沉积膜来提高气体阻 隔性。

上述氧化硅膜基本上是高刚性的而且脆。当将氧化硅膜沉 积在塑料基板上时,它不良地追随塑料基板的变形,易于剥离 而缺少紧密附着性。因此,必须在塑料基板的表面形成紧密附 着的层后,再沉积氧化硅膜。例如,专利文件1提出,在沉积氧 化硅膜之前,通过借助使用具有高浓度有机硅化合物的反应气 体或利用低输出功率条件进行等离子体CVD在塑料基板表面 形成富含碳元素(C)的紧密附着的层。

还进行了大量关于除沉积氧化硅膜之外沉积其它膜的研 究。例如,专利文件2提出通过等离子体CVD在塑料容器表面 形成包含无定形碳作为主要成分的烃类气相沉积膜。此外,专 利文件3提出通过等离子体CVD法在塑料容器内表面形成气相 沉积膜,该气相沉积膜具有在氧化硅膜上形成类金刚石碳膜(烃 气相沉积膜)的膜结构。

专利文件1:JP-A-2005-97678

专利文件2:JP-A-2006-131306

专利文件3:JP-A-2006-89073

发明内容

近年来,作为生物可降解塑料材料的代表性实例的乳酸在 与环境问题有关的各个领域引起了注意。在包装材料领域,由 聚乳酸制成的容器也已投入实际应用。然而,聚乳酸容器具有 比聚对苯二甲酸乙二酯容器的差的气体阻隔性和耐热性,已进 行通过形成气相沉积膜来提高气体阻隔性等性质的尝试。

在上述专利文件1中公开的氧化硅气相沉积膜,当应用于 聚对苯二甲酸乙二酯(PET)容器时,显示良好的气体阻隔性。然 而,当应用于具有低玻璃化转变点的低耐热性树脂制成的容器 (例如,聚乳酸容器和聚烯烃容器)时,专利文件1中公开的氧化 硅气相沉积膜会产生各种问题。尤其当将氧化硅膜用于聚乳酸 制成的容器时,在形成气相沉积膜时,塑料基板由于氧等离子 而热变形,塑料基板被氧化和劣化而发出异味异臭。

例如,聚乳酸的玻璃化转变点(Tg)为58℃,与PET等(例如, PET具有70℃的TG)相比,显示劣化的热性质。即,为了获得阻 隔性,必须在高输出功率条件(通常在微波输出功率不低于 600W下气相沉积不短于4秒)下通过使用氧气和有机金属气体 形成氧化硅气相沉积膜。然而,在上述高输出功率条件下进行 气相沉积时,聚乳酸基材由于在气相沉积步骤中产生的氧等离 子体或其它等离子体的热而热变形或热劣化。尤其是当在聚乳 酸容器上形成膜时,会出现诸如瓶内产生异臭等的问题。此外, 氧化硅气相沉积膜硬且脆,缺乏柔软性,形成亲水性基团如硅 醇基。即,氧化硅气相沉积膜不良地追随塑料基材的变形,不 良地附着于塑料基材且展示低的对水的阻隔性。

另一方面,烃气相沉积膜如类金刚石碳膜(DLC膜)具有变 色的问题,但与氧化硅膜相比,可在低输出功率下和短时间内 形成,因而它可在聚乳酸基材表面形成而不会使塑料基材热变 形或热劣化。然而,烃气相沉积膜主要由碳(C)元素和氢(H)元 素构成,不活泼,具有不良的对塑料基材的化学亲合性,涉及 有关紧密附着性的问题。作为提高基材与烃气相沉积膜之间紧 密附着性的手段,通常采用在烃膜中引入除了碳(C)元素和氢(H) 元素以外的杂质元素的方法。然而,在这种情况下,虽然相对 于塑料基材,紧密附着性得到提高,但水阻隔性和氧阻隔性却 降低。因此,为了改进与基材的紧密附着性且提高阻隔性,需 要烃气相沉积膜主要包括几乎不含碳(C)元素和氢(H)元素之外 的杂质元素的碳(C)元素和氢(H)元素。

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