[发明专利]多通道无吸收体近场测量系统有效
申请号: | 200780052673.X | 申请日: | 2007-10-10 |
公开(公告)号: | CN101652667A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | A·奈斯哈德哈姆;R·帕斯顿;J·金 | 申请(专利权)人: | EMSCAN公司 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08;G01R29/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李镇江 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通道 吸收体 近场 测量 系统 | ||
1.一种无吸收体的近场微波扫描系统,包括:
(a)由嵌入电介质的天线元件构成的开关阵列,所述开关阵列 用于感测预定位置处的电磁场分量,并且形成阵列表面,其中所述开 关阵列输出原始的未校正的信号,该原始的未校正的信号表示电磁 场,并且包括互耦效应;
(b)用于放置受测设备(DUT)的扫描表面,其中所述扫描表 面大体平行于所述阵列表面,并且所述扫描表面和所述阵列表面被以 小于所测量频率的波长的1/1.8的距离分隔开;
(c)连接到所述开关阵列用于获得和处理开关阵列输出的处理 引擎,所述处理引擎适合于针对互耦效应在单个探针级别进行校正, 并且所述处理引擎包括:
i.控制器,
ii.通道选择器和采样器,与所述控制器耦接,
iii.通道校正器,与所述通道选择器和采样器耦接,用于针对差 分路径损耗和延迟进行调整,
iv.数据转换器和内插器,与所述通道校正器耦接,
v.振幅和相位检测器,与所述数据转换器和内插器耦接,
vi.近场校正器,与所述振幅和相位检测器耦接,
vii.变换器,与所述近场校正器耦接,用于将近场数据变换为远 场数据,以及
ix.用户接口,与所述控制器、所述振幅和相位检测器和所述变换 器耦接。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述天线元件被包括在多层印 刷电路板的天线层中,该印刷电路板包括微带线层和紧邻天线层的接 地层。
3.如权利要求2所述的系统,其中多层印刷电路板包括多个接地 层,并且被选择和未被选择的天线元件借助于将所有接地层连接在一 起的接地通孔而被彼此隔离。
4.如权利要求1所述的系统,其中所述扫描表面和所述阵列表面 之间的距离(D)在所述波长的1/88到所述波长的1/1.8之间。
5.如权利要求1,2或3所述的系统,其中所述开关阵列的天线 元件间距离(d)范围在所述波长的1/176到所述波长的1/3.6之间。
6.如权利要求4所述的系统,其中所述扫描表面和所述阵列表面 之间的距离(D)/所述开关阵列的天线元件间距离(d)为2.0。
7.一种测量和测试电磁辐射设备的性能参数的方法,所述方法包 括以下步骤:
(a)由嵌入电介质的天线元件构成的开关阵列,所述天线元件 的开关阵列用于感测预定位置处的电磁场分量,并且形成阵列表面;
(b)将受测设备(DUT)放置于扫描表面,所述扫描表面大体 平行于所述阵列表面,并且所述扫描表面被以小于所测量频率的波长 的1/2的距离分隔开;
(c)通过接收来自所述开关阵列的输出产生近场数据,所述近 场数据表示电磁场,但是包括互耦效应;
(d)校正所述近场数据,以便针对互耦效应在单个探针级别进 行校正;和
(e)将校正后的近场数据变换为远场数据。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述天线元件被包括在多层印 刷电路板的天线层中,该印刷电路板包括微带线层和紧邻天线层的接 地层。
9.如权利要求8所述的方法,其中多层印刷电路板包括多个接地 层,并且被选择和未被选择的天线元件借助于将所有接地层连接在一 起的接地通孔而被彼此隔离。
10.如权利要求7所述的方法,其中所述扫描表面和所述阵列表 面之间的距离(D)在所述波长的1/88到所述波长的1/1.8之间。
11.如权利要求7所述的方法,其中所述阵列的天线元件间距离 (d)的范围在所述波长的1/176到所述波长的1/3.6之间。
12.如权利要求10或11所述的方法,其中所述扫描表面和所述 阵列表面之间的距离(D)/所述开关阵列的天线元件间距离(d)为 2.0。
13.如权利要求7所述的方法,其中校正所针对的互耦效应包括 开关阵列上的单个天线元件之间的反射和动态耦合效应,以及受测设 备(DUT)与有限扫描器表面的接近度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EMSCAN公司,未经EMSCAN公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780052673.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。