[发明专利]超斥水表面的制备

权利要求书

1.一种超斥水表面的制备方法，其中对基体表面进行蚀刻以形成精 细凹凸结构，所述方法包括下列步骤：

将多个球形珠体安置于基体表面上以形成第(N)珠体层；

以所述第(N)珠体层作为蚀刻掩模蚀刻所述基体表面；

将多个直径大于所述第(N)珠体的球形珠体安置于所述基体表面上 以形成第(N+1)珠体层；

以所述第(N+1)珠体层作为蚀刻掩模蚀刻所述基体表面；

从经蚀刻的所述基体表面除去所述珠体；和

在已形成有分层凹凸结构的所述基体表面上涂布氟化合物，

其中，将第(N+1)珠体层形成步骤和第(N+1)蚀刻步骤重复N次，N 是等于或小于49的自然数。

2.如权利要求1所述的超斥水表面的制备方法，其中，通过选自旋 涂法、浸涂法、提升法、电泳沉积法、化学或电化学沉积法及电喷雾法、 朗缪尔-布洛杰特(LB)法和使用印刷术将珠体单层转移至基体的至少一种 方法在所述基体表面上形成所述第(N)珠体层。

3.如权利要求1或权利要求2所述的超斥水表面的制备方法，其中， 所述蚀刻通过使用蚀刻气体的干法蚀刻进行。

4.如权利要求3所述的超斥水表面的制备方法，其中，所述基体选 自玻璃、石英片、硅、塑料和高分子膜。

5.如权利要求3所述的超斥水表面的制备方法，其中，所述蚀刻气 体是选自CF₄、CHF₃、C₂F₆、C₃F₆、C₃F₈、C₄F₁₀、HF、HBr、SF₆、NF₃、 SiCl₄、SiF₄、BCl₃、CCl₄、CClF₃、CCl₂F₂、C₂ClF₅和O₂的至少一种气体。

6.如权利要求5所述的超斥水表面的制备方法，其中，所述蚀刻气 体是包含H₂的混合物。

7.如权利要求1或权利要求2所述的超斥水表面的制备方法，其中， 已涂布有所述氟化合物的所述基体表面具有选自(CF₃-)、-(CF₂-CF₂)_n-、 -(O(CF₂)_m)_n-、-((CF₂)_mO)_n-、-(OC(CF₃)FCF₂)_n-和-(C(CF₃)FCF₂O)_n-的至少一 种基团，其中1≤m≤25且1≤n≤100。

8.如权利要求7所述的超斥水表面的制备方法，其中，所述氟化合 物的涂布可以通过选自浸涂法、旋涂法、喷雾法、氟硅烷类化合物的自 组装单层处理、通过氟类单体的原子转移自由基聚合进行的表面聚合、 氟类单体的接出表面聚合、氟类化合物的接入表面聚合、采用等离子体 的氟类化合物的表面聚合和采用等离子体的氟化合物的表面改性的至少 一种方法进行。

9.如权利要求8所述的超斥水表面的制备方法，其中，所述方法通 过辊对辊法在一条加工线上连续进行。