[发明专利]具有硅和/或锡的乙烯基类聚合物及使用该聚合物的有机发光二极管

权利要求书

1.一种用于有机发光二极管的有机层的聚合物，包括由以下通式2表 示并通过聚合由以下通式1表示的单体形成的重复单元

[通式1]   [通式2]

在通式1和2中，X表示硅或锡；Ar₁、Ar₂和Ar₃可相同或不同，且各 自表示C1～C30取代或未取代的烷基、C1～C30取代或未取代的酰基、C1～ C30取代或未取代的烷氧羰基、C2～C30取代或未取代的烯基、C2～C30取 代或未取代的炔基、C6～C30取代或未取代的芳基、C6～C30取代或未取代 的芳烷基、C2～C30取代或未取代的杂芳基以及C4～C30取代或未取代的 环烷基；Y为单键，或表示C1～C20亚烷基、C6～C30亚芳基、C1～C20 氧化亚烷基、C6～C20亚芳醚基、氧羰基、酰基氨基、尿烷基，且这些二价 有机基团还可由上述取代基取代；R₁和R₂可相同或不同，并各自表示氢原 子或C1～C20烷基、C2～C20烯基、C6～C30芳基、C1～C20烷氧基、C6～ C20芳氧基、C2～C20氧杂基、C3～C40甲硅烷氧基、C1～C20酰基、C2～ C20烷氧基羰基、C2～C20酰氧基、C2～C20酰氨基、C2～C20烷氧基羰基 氨基、C7～C20芳氧基羰基氨基、C1～C20氨磺酰氨基、C0～C20磺酰基、 C1～C20烷硫基、C6～C20芳硫基、C1～C20杂环硫醇基、C1～C20磺酰 基、C1～C20酰脲基、C1～C20磷酰胺基、羟基、卤素、氰基、砜基、羧基、 硝基、C3～C40甲硅烷基。

2.一种用于有机发光二极管的有机层的聚合物，包括由如权利要求1 所述的通式2表示并通过聚合由如权利要求1所述的通式1表示的单体形成 的重复单元，以及由以下通式4表示并通过聚合由以下通式3表示的单体形 成的重复单元

[通式3]   [通式4]

在通式3和4中，L表示能被以下基团取代的咔唑、三苯胺、苯基、萘 基、蒽基、吡啶基，所述基团选自由氰基、羟基、可由C1～C6烷氧基羰基 取代的C1～C30烷氧基羰基、C1～C30二烷氨基羰基、C1～C30烷氨基羰 基、C1～C30烷基羰基、卤素、甲硅烷基、C1～C30烷基、C6～C18芳基、 C1～C30烷氧基、C1～C30烷氧基羰基、C1～C30酰氧基和C1～C30烷基 羰基构成的组中；R₁和R₂可相同或不同，并各自表示氢原子或C1～C20烷 基、C2～C20烯基、C6～C30芳基、C1～C20烷氧基、C6～C20芳氧基、 C2～C20氧杂基、C3～C40甲硅烷氧基、C1～C20酰基、C2～C20烷氧基 羰基、C2～C20酰氧基、C2～C20酰氨基、C2～C20烷氧基羰基氨基、C7～ C20芳氧基羰基氨基、C1～C20氨磺酰氨基、C0～C20磺酰基、C1～C20 烷硫基、C6～C20芳硫基、C1～C20杂环硫醇基、C1～C20磺酰基、C1～ C20酰脲基、C1～C20磷酰胺基、羟基、卤素、氰基、砜基、羧基、硝基、 C3～C40甲硅烷基。

3.根据权利要求2所述的聚合物，其中由通式2表示的重复单元形成整体 所述聚合物的至少0.5wt%或更多。

4.根据权利要求2所述的聚合物，其中由通式4表示的重复单元形成整体 所述聚合物的至少0.5wt%或更多。