[发明专利]形成电荷泵控制器的方法及其结构

权利要求书

1.一种开关电容控制器，包括：

第一MOS晶体管，其具有包括第一栅极的第一部分并具有包括 第二栅极的第二部分，所述第一栅极配置成形成所述第一MOS晶体 管的第一导通电阻，所述第二栅极配置成形成所述第一MOS晶体管 的小于所述第一导通电阻的第二导通电阻，所述第一MOS晶体管配 置成将一泵电容器耦合成接收第一电流以给所述泵电容器充电；

第二MOS晶体管，其具有包括第一栅极的第一部分并具有包括 第二栅极的第二部分，所述第一栅极配置成形成所述第二MOS晶体 管的第一导通电阻，所述第二栅极配置成形成所述第二MOS晶体管 的小于所述第一导通电阻的第二导通电阻，所述第二MOS晶体管配 置成将所述泵电容器耦合成向负载提供第二电流；

第一电路，其配置成响应于所述泵电容器或负载电容器之一上的 第一电压不大于第一值而使能所述第一MOS晶体管的所述第一部分 且不使能所述第一MOS晶体管的所述第二部分，以给所述泵电容器 充电；

所述第一电路配置成响应于所述第一电压不大于所述第一值而 使能所述第二MOS晶体管的所述第一部分且不使能所述第二MOS 晶体管的所述第二部分，以向所述负载提供所述第二电流；

所述第一电路配置成响应于所述第一电压不小于所述第一值而 使能所述第一MOS晶体管的所述第一部分和所述第二部分；以及

所述第一电路配置成响应于所述第一电压不小于所述第一值而 使能所述第二MOS晶体管的所述第一部分和所述第二部分。

2.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中所述第一电路包 括比较器，所述比较器配置成将所述泵电容器或负载电容器之一上的 电压与参考电压进行比较。

3.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中，所述第一电路 被配置成使能所述第一MOS晶体管的所述第一部分包括所述第一电 路被配置成使能所述第一MOS晶体管的所述第一部分而不使能所述 第一MOS晶体管的所述第二部分。

4.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中所述第一电路配 置成彼此异相地使能所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管。

5.如权利要求1所述的开关电容控制器，进一步包括第三晶体 管，所述第三晶体管响应于使能所述第一MOS晶体管而被使能，所 述第三晶体管配置成将所述泵电容器的一个端子耦合到充电电压，而 所述第一MOS晶体管配置成将所述泵电容器的第二端子耦合到电压 返回。

6.如权利要求1所述的开关电容控制器，进一步包括第四晶体 管，所述第四晶体管响应于使能所述第二MOS晶体管而被使能，所 述第四晶体管配置成将所述泵电容器的一个端子耦合到所述开关电 容控制器的输出，而所述第二MOS晶体管配置成将所述泵电容器的 第二端子耦合成接收所述开关电容控制器的输入电压。

7.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中所述第一MOS 晶体管的所述第一导通电阻大于大约10倍的所述第一MOS晶体管的 所述第二导通电阻。

8.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中所述第二MOS 晶体管的所述第一导通电阻大于大约10倍的所述第二MOS晶体管的 所述第二导通电阻。

9.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中所述第一MOS 晶体管的所述第一部分和所述第二部分共享公共源极区和公共漏极 区以及分离的栅极区和沟道区。

10.如权利要求1所述的开关电容控制器，其中所述第一MOS 晶体管形成为基于单元的晶体管。