[发明专利]碳化硅基多孔物体及其制备方法无效
| 申请号： | 200780052271.X | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101641306A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 赵纹硅;洪璂坤;郑斗和 | 申请（专利权）人： | POSCO公司;浦项产业科学研究院 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟守期;吴晓萍 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 基多 物体 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅基多孔物体，其通过煅烧纯度95％至99％的碳化硅基颗粒形成，并且包括在限定该多孔物体中的孔的表面上长出的具有针状的Si-N-或Si-N-O-基针状颗粒。
2.权利要求1的碳化硅基多孔物体，其中所述碳化硅基颗粒包括SiC和/或Si颗粒。
3.一种制备碳化硅基多孔物体的方法，该方法包括：
使用纯度95％至99％的碳化硅基颗粒形成预模制产物；以及
在0.5atm至2atm分压的氮气氛下于窑内热处理所述预模制产物，从而在限定多孔物体中的孔的表面上生长出具有针状的Si-N-或Si-N-O-基针状颗粒。
4.权利要求3的方法，其中所述碳化硅基颗粒包括SiC和/或Si颗粒。
5.权利要求3的方法，其中所述热处理在1400℃至1600℃的温度进行20分钟至60分钟的一段时间。
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