[发明专利]管理非易失性存储器的扇区的方法

说明书

背景

非易失性存储器可包括多个存储块，而每个块可包括多个扇区。通常文件 段可各自存储在非易失性存储器的物理上分离的扇区中。扇区表可用于存储扇 区的物理地址。扇区表的每个条目可对应于文件的每个段且包括多个子条目。 第一子条目可包含存储文件段的最初扇区的物理位置。如果文件段从第一扇区 替换至后续扇区，然后从该后续扇区替换至另一个后续扇区等等，则后续子条 目可包含存储文件段的后续扇区的物理地址。

附图简述

本文描述的发明在附图中作为示例而非作为限制示出。为了简单且清楚地 说明，附图中的元件不一定是按比例绘制的。例如，为清楚起见一些元件的尺 寸可能相对其它元件被放大。更进一步地，在认为适当时，附图标记在附图中 被重复以指示相应或相似元件。

图1示出将文件存储在多个存储扇区中的计算平台。

图2示出用于管理存储文件的存储扇区的扇区表的实施例。

图3示出在将文件段从存储扇区替换至另一个存储扇区时扇区表如何工 作。

图4示出扇区表的另一个实施例。

图5示出将文件段写入存储扇区的方法的实施例。

图6示出从存储扇区读取文件段的方法的实施例。

详细描述

以下说明描述关于管理非易失性存储器的扇区的方法的技术。在以下的描 述中，阐述了许多特定细节，诸如逻辑实现、伪代码、用于指定操作数的方法、 资源分区/共享/复制实现、系统组件的类型和相互关系、以及逻辑分区/集成选 择，以便提供对本发明更全面的理解。然而，本发明可在没有这些特定细节的 情况下实施。在其它实例中，没有详细示出控制结构、门级电路和全软件指令 序列以免混淆本发明。本领域的普通技术人员利用所包括的描述将能够实现适 当功能性而不需要过多的试验。

在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的参考指 示所描述的实施例可包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可不必包括该 特定特征、结构或特性。此外，这些短语不一定指代同一实施例。此外，当结 合实施例描述特定特征、结构或特性时，主张结合其它实施例——无论是否明 确描述——实现这些特征、结构或特性在本领域的技术人员的知识范围内。

本发明的实施例可以硬件、固件、软件或其任何组合实现。本发明的实施 例还可被实现为存储在机器可读介质上的指令，其可由一个或多个处理器读取 和执行。机器可读介质可包括用于存储或传送机器(例如，计算设备)可读形 式的信息的任何机制。例如，机器可读介质可包括只读存储器(ROM)、随机 存取存储器(RAM)、磁盘存储介质、光存储介质、闪存设备等。

图1示出计算系统的实施例。如图所示，计算系统10可包括一个或多个 处理器11、存储器系统12、芯片组13、I/O设备14以及可能的其它组件。计 算系统10的示例可包括蜂窝电话、数码相机、计算机和其它用于处理和存储 数据的设备。

一个或多个处理器11可经由诸如处理器总线之类的一条或多条总线通信 耦合至各种组件(例如芯片组13)。处理器11可被实现为具有一个或多个处 理核的集成电路(IC)，处理核可在例如包括从加利福尼亚州圣克拉拉的英特 尔公司购买到的Pentium^TM，Itanium^TM，Core^TM Duo架构的 适当架构下执行代码。

存储器系统12可包括一个或多个存储设备(未示出)，这些存储设备可 以是或者可以不是同一类型。例如，存储设备中的一些可以是非易失性存储设 备，而其它一些可以是易失性存储设备。非易失性存储设备的示例可包括相变 存储器(PCM)。

相变存储器可以是一种新的半导体技术，其可将薄膜材料中从非晶相至结 晶相的可逆结构相变用作数据存储机制。PCM技术可使用常规的CMOS工艺， 同时增加几个附加层来形成薄膜存储元件。PCM技术的重要特征可包括：1) PCM可允许位值从0至1或从1至0的变换；2)将ECC(纠错码)值分配给 具有特定物理跨度的存储部分(例如，将ECC值分配给具有1K位跨度的每个 存储部分)。

存储器系统12可将指令和数据存储为文件101和扇区管理器102。文件 101可包括各自可存储在存储器系统的单独扇区上的多个文件段。例如，不同 的文件段可存储在不同的存储块中，或者甚至一个存储块内的不同的存储扇区 中。