[发明专利]使用表面张力减少气体干燥晶片的方法和装置

权利要求书

1.一种使用邻近头处理基片的方法，包含：

提供头，其具有靠近该基片的表面的头部表面，该头具 有宽度和长度，且该头具有多个沿该头的长度成多排配置的端 口，该多排遍布该头的宽度，第一组端口被配置为将第一流体 分配至该基片的该表面以便在该基片的该表面和该头的该表 面之间形成弯液面；以及

从该头的第二组端口向该弯液面和该基片之间的界面输 送气态二氧化碳，以便该二氧化碳协助促进减小该弯液面相对 于该基片表面的表面张力。

2.根据权利要求1所述的处理基片的方法，其中该二氧化碳降低 该界面处该第一流体的pH值水平，以抑制该基片暴露于该弯 液面之后，在该基片的该表面上留下的任何的微液滴中的污染 物的形成。

3.根据权利要求1所述的处理基片的方法，进一步包含：

向该第一流体添加二氧化碳反应性氧化胺表面活性剂以 抑制硅酸的形成，其中该氧化胺表面活性剂是从由十二烷基二 甲基胺氧化物(DDMAO)、三甲胺氧化物(TMAO)、N，N- 二甲基-N-十二烷胺氧化物、N，N-二甲基-N-十四基胺氧化物、 N，N-二甲基-N-十六烷基胺氧化物、N，N-二甲基-N-十八烷基 胺氧化物、N，N-二甲基-N-(Z-9-十八烯)-N-胺氧化物、N- 十二烷基-N，N-二甲基甘氨酸、磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、 卵磷脂、磷酸酯、磷酯酰乙醇胺、胆碱磷脂、磷脂酰丝氨酸、 磷脂酞肌醇和B′-O-赖氨酰磷脂酰甘醇组成的组中选出的。

4.根据权利要求1所述的处理基片的方法，其中该处理包括清 洁、刻蚀或沉积之一。

5.根据权利要求1所述的处理基片的方法，其中使用计算机控制 来协调该基片的处理。

6.根据权利要求1所述的处理基片的方法，其中该二氧化碳气体 是从压缩源施加的。

7.一种处理基片的方法，包含：

向该基片的表面施加处理流体，该处理流体在头和该基 片的该表面之间形成弯液面，该弯液面具有由该处理流体和该 基片限定的界面，以及

以定向的方向朝该弯液面的该界面施加二氧化碳气体 流，该二氧化碳与该弯液面在该界面处至少部分混合，以便于 协助减小该基片的该表面上的该弯液面的表面张力；以及

相对于该基片的该表面移动该弯液面，同时施加该处理 流体和该二氧化碳气体，在该移动过程中，该弯液面大体上保 持完整；

其中校准该二氧化碳气体的施加以输送能够以设定速度 移动该弯液面的气流。

8.根据权利要求7所述的处理基片的方法，其中限定该设定速度 以减少移动时暴露于该弯液面的区域中的该基片的该表面上 的微液滴的形成。

9.根据权利要求8所述的处理基片的方法，其中该二氧化碳降低 该界面处该处理流体的pH值水平，以防止该基片暴露于该弯 液面之后，在该基片的该表面上留下的任何微液滴中污染物的 形成。

10.根据权利要求7所述的处理基片的方法，其中该二氧化碳气体 是从压缩源施加的。

11.根据权利要求7所述的处理基片的方法，进一步包含： 向该处理流体添加氧化胺表面活性剂，该氧化胺表面活 性剂在暴露于该二氧化碳气体时是对pH值敏感的。

12.根据权利要求11所述的处理基片的方法，其中该氧化胺表面 活性剂是从由十二烷基二甲基胺氧化物(DDMAO)、三甲胺 氧化物(TMAO)、N，N-二甲基-N-十二烷胺氧化物、N，N-二 甲基-N-十四基胺氧化物、N，N-二甲基-N-十六烷基胺氧化物、 N，N-二甲基-N-十八烷基胺氧化物、N，N-二甲基-N-(Z-9-十 八烯)-N-胺氧化物、N-十二烷基-N，N-二甲基甘氨酸、磷酸盐、 亚磷酸盐、膦酸酯、卵磷脂、磷酸酯、磷酯酰乙醇胺、胆碱磷 脂、磷脂酰丝氨酸、磷脂酞肌醇和B′-O-赖氨酰磷脂酰甘醇组 成的组中选出的。