[发明专利]具有柔顺性的微电子组件及其方法

权利要求书

1.一种制作微电子组件的方法，包括：

提供微电子元件，其具有第一表面和可在第一表面处触及的触点；

在所述微电子元件的第一表面上提供柔顺性介电凸块；

在所述柔顺性介电凸块和所述微电子元件的第一表面上沉积牺牲 层，其中，所述牺牲层覆盖所述柔顺性介电凸块；

研磨所述牺牲层和所述柔顺性介电凸块以便平面化所述柔顺性介 电凸块的顶表面，其中，所述柔顺性介电凸块的平面化顶表面被暴露；

在研磨步骤后，去除所述牺牲层，以暴露至少一些所述触点；以 及

形成导电迹线，其具有与所述触点电连接的第一端部和层叠于所 述柔顺性介电凸块的平面化顶表面上的第二端部。

2.如权利要求1所述的方法，还包括提供与所述导电迹线的第二 端部接触的导电元件。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述导电元件选自下面一组： 焊料球，导电柱，导电针。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在去除所述牺牲层的步骤中， 所述微电子元件上的所述触点被暴露。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述柔顺性介电凸块具有位 于所述平面化顶表面周围的倾斜侧面，在去除所述牺牲层的步骤中所 述倾斜侧面被暴露。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述牺牲层的步骤之后，在所述微电子元件的第一表面和 所述柔顺性介电凸块上沉积硅酮层；

选择性地去除所述硅酮层，以便暴露位于所述微电子元件的第一 表面处的所述触点。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述微电子元件包括半导体 晶片。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述微电子元件包括至少一 个存储芯片。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述微电子元件包括至少一 个双数据速率芯片。

10.如权利要求7所述的方法，还包括切分所述半导体晶片。

11.如权利要求1所述的方法，还包括提供与所述导电迹线的第 二端部接触的导电柱，所述导电柱层叠于所述柔顺性介电凸块上并且 背离所述微电子元件的第一表面突伸，其中，所述导电柱与所述微电 子元件的所述触点电互联。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述导电柱的末端限定出 所述微电子组件上的最高点。

13.如权利要求1所述的方法，其中，提供柔顺性介电凸块的步 骤包括：

沉积具有低弹性模量的材料层；

选择性地去除所述低弹性模量材料层的一些部分，以形成所述柔 顺性介电凸块。

14.如权利要求1所述的方法，其中，提供柔顺性介电凸块的步 骤包括：

在所述微电子元件的第一表面上网式印刷可固化材料的凸块；

固化所述可固化材料，以形成所述柔顺性介电凸块。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括光成像层。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述牺牲层包括硅酮。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述柔顺性介电凸块包括 选自下面一组的材料：硅酮，柔韧性环氧树脂，聚酰亚胺，热固性聚 合物，含氟聚合物，热塑性聚合物。

18.如权利要求1所述的方法，其中，在研磨步骤后所述柔顺性 介电凸块具有大致平坦的顶表面。

19.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电迹线包括选自下 面一组的材料：铜，金，镍，它们的合金。

20.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电迹线包括选自下 面一组的材料：铜、金、镍的组合物，和铜、金、镍的复合材料。