[发明专利]用于MEMS结构的晶片级封装的方法和系统无效
| 申请号： | 200780049387.8 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101578687A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 杨晓;贾斯廷·佩恩;宇翔·王;乌克·吉;王叶 | 申请（专利权）人： | 明锐有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李晓冬;南 霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mems 结构 晶片 封装 方法 系统 | ||
1.一种为耦合到衬底的MEMS结构形成封装的方法，该方法包括：
在所述衬底上沉积包封材料；
对所述包封材料进行图案化以形成多个被包封结构；
在所述衬底上沉积第一覆盖层；
在所述第一覆盖层中形成一个或多个释放孔图案；
去除所述包封材料；以及
沉积第二覆盖层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上沉积包封材料包括利用液体包封材料执行旋涂处理。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述包封材料包括光致抗蚀剂材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一覆盖层包括非晶硅层。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二覆盖层包括第二非晶硅层。
6.如权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一覆盖层包括执行低温沉积处理，该低温沉积处理的特征在于最大处理温度低于500℃。
7.如权利要求1所述的方法，其中，去除所述包封材料包括执行等离子灰化处理。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS结构包括MEMS谐振器。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括CMOS电路。
10.如权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二覆盖层包括为所述MEMS结构形成密闭密封环境。
11.一种用于MEMS结构的封装，该封装包括：
耦合到衬底的MEMS结构；
与所述MEMS结构相邻并从所述衬底延伸到预定距离的腔区域；
第一密封层，该第一密封层具有与所述衬底接合的第一部分和布置在所述腔区域之上的第二部分；以及
第二密封层，该第二密封层具有与所述第一密封层的第一部分接合的第一部分和与所述第一密封层的第二部分接合的第二部分。
12.如权利要求11所述的封装，其中，所述第一密封层的第二部分基本是平面。
13.如权利要求11所述的封装，其中，所述第二密封层还包括延伸穿过所述第一密封层的部分。
14.如权利要求11所述的封装，还包括所述腔区域中的惰性环境。
15.如权利要求14所述的封装，其中，所述惰性环境包括真空环境。
16.如权利要求11所述的封装，还包括与所述腔区域以流体方式连通的吸杂材料。
17.如权利要求11所述的封装，其中，所述第一密封层包括非晶硅层。
18.如权利要求11所述的封装，其中，所述第二密封层包括非晶硅层。
19.如权利要求11所述的封装，其中，所述衬底包括CMOS电路。
20.如权利要求11所述的封装，其中，所述MEMS结构包括MEMS谐振器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于明锐有限公司，未经明锐有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780049387.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于高频信号发生装置的电磁干扰抑制装置
- 下一篇：发光组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
