[发明专利]高效数字功率放大器

权利要求书

1.一种数字功率放大器，包括：

差分放大器，适用于接收和放大第一数字调制信号和第二数字调 制信号并产生第三数字调制信号，所述第二数字调制信号与所述第一 数字调制信号180度异相；

预激励器，适用于接收所述第三数字调制信号和产生预激励信 号；

激励器，耦合到所述预激励器并且适用于接收所述预激励信号和 产生激励信号；

功率放大器，耦合到所述激励器并且具有至少一个功率晶体管， 该功率晶体管适用于接收所述激励信号和产生用于通过天线进行RF 传输的功率放大数字信号；以及

其中所述预激励器、激励器和功率放大器共同放大所述第三数字 调制信号。

2.如权利要求1所述的数字功率放大器，其中所述激励器具有 大约5欧姆或者更少的输出阻抗。

3.如权利要求1所述的数字功率放大器，其中所述预激励器包 括至少一个晶体管，该晶体管具有指定输出功率激励能力，并且所述 激励器包括至少一个晶体管，该晶体管具有大于所述预激励器的所述 输出功率激励能力的指定输出功率激励能力。

4.如权利要求3所述的数字功率放大器，其中所述的预激励器 的所述至少一个晶体管和所述激励器的所述至少一个晶体管是氮化 镓(GaN)晶体管。

5.如权利要求3所述的数字功率放大器，其中所述的预激励器 的所述至少一个晶体管和所述激励器的所述至少一个晶体管是假晶 高电子迁移率晶体管(pHEMT)。

6.如权利要求1所述的数字功率放大器，其中所述预激励器包 括多个具有指定输出功率激励能力的晶体管并且所述激励器包括多 个具有比所述预激励器的所述输出功率激励能力大的指定功率激励 能力的晶体管。

7.如权利要求6所述的数字功率放大器，其中所述的多个预激 励器晶体管和所述的多个激励器晶体管是氮化镓(GaN)晶体管。

8.如权利要求6所述的数字功率放大器，其中所述的多个预激 励器晶体管和所述的多个激励器晶体管是假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)。

9.如权利要求6所述的数字功率放大器，其中所述功率放大器 被配置为电流型D类推挽放大器。

10.一种无线通信装置，包括：

数字发射器，包括：

适用于产生数字调制信号的数字向上变换器，其中，所述数 字调制信号包括第一数字调制信号和第二数字调制信号，所述第 二数字调制信号与所述第一数字调制信号180度异相；和

数字功率放大器，包括：

差分放大器，适用于接收所述第一数字调制信号和所述 第二数字调制信号并产生差分预激励信号；

预激励器，适用于接收所述差分预激励信号并产生预激 励信号；

激励器，耦合到所述预激励器以及适用于接收所述预激 励信号并产生激励信号；

功率放大器，耦合到所述激励器并且具有至少一个功率 晶体管，该功率晶体管适用于接收所述激励信号和产生用于 RF传输的功率放大数字信号，以及

其中所述预激励器、激励器和功率放大器共同放大所述 数字调制信号；以及

耦合到所述数字功率放大器的天线，用于传输所述功率放大数字 信号。

11.如权利要求10所述的无线通信装置，其中所述预激励器包 括多个具有X栅极尺寸的晶体管并且所述激励器包括多个具有至少 3X栅极尺寸的晶体管。

12.如权利要求11所述的无线通信装置，其中所述多个预激励 器晶体管中的每一个和所述多个激励器晶体管中的每一个是氮化镓 (GaN)晶体管和假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)中的一个。