[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法无效

专利信息
申请号: 200780046971.8 申请日: 2007-11-19
公开(公告)号: CN101563652A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 能村仲笃;今野洋助 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: G03F7/11 分类号: G03F7/11;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 左嘉勋;刘继富
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 抗蚀剂 下层 形成 组合 图案 方法
【权利要求书】:

1、一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其特征在于,含有在富勒烯骨架中至少键合有一个氨基的(A)氨基化富勒烯和(B)溶剂。

2、根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,其中,还含有(C)酸发生剂。

3、根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,其中,还含有(D)交联剂。

4、根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,其中,还含有(E)热固化性树脂。

5、一种抗蚀剂下层膜的形成方法,其特征在于,将上述权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在被加工基板上,将已涂布的所述抗蚀剂下层膜形成用组合物与所述被加工基板一起在惰性气体氛围下煅烧,从而在所述被加工基板上形成抗蚀剂下层膜。

6、一种图案形成方法,其特征在于,具备下列工序:

在被加工基板上涂布权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,从而形成抗蚀剂下层膜的工序(1);

在所得的所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物,从而形成抗蚀剂被膜的工序(2);

透过光掩模,对所得的所述抗蚀剂被膜选择性地照射放射线,从而将所述抗蚀剂被膜曝光的工序(3);

将曝光后的所述抗蚀剂被膜进行显影,从而形成抗蚀剂图案的工序(4);及

将所述抗蚀剂图案作为掩模,对所述抗蚀剂下层膜和所述被加工基板进行干蚀刻,从而形成图案的工序(5)。

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