[发明专利]为延长电极寿命具有气流修改的喷头电极总成

权利要求书

1.一种用于等离子处理设备的喷头电极总成，包括：

电极，其具有多个第一气体通道以及等离子暴露表面；

背衬构件，贴附于该电极，并且具有多个与该第一气体通道流体连通的第二气体通道；

一个或多个第一集气室，形成在该背衬构件中并与该第二气体通道流体连通；

其中当工艺气体流过该第一和第二气体通道时，在该第一和第二气体通道产生总的压降，在该第二气体通道的该总的压降的部分大于在该第一气体通道的该总的压降的部分。

2.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中两个或多个该第一气体通道与一个第二气体通道流体连通。

3.根据权利要求2所述的喷头电极总成，其中该两个第一气体通道和该一个第二气体通道设在相对于各自电极和背衬构件中心不同的径向位置。

4.根据权利要求2所述的喷头电极总成，其中该两个第一气体通道和一个第二气体通道设在相对于各自电极和背衬构件的中心相同的径向位置和不同的角位置。

5.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该电极由硅、石墨或碳化硅组成。

6.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该背衬构件由铝、石墨或碳化硅组成。 

7.根据权利要求1所述的喷头电极总成，其中该一个或多个第一集气室形成在该背衬构件面向该电极的表面中。

8.根据权利要求1所述的喷头电极总成，进一步包括一个或多个第二集气室，形成在该背衬构件背离该电极的表面中。

9.根据权利要求8所述的喷头电极总成，其中该第一和第二集气室是径向隔开的环形通道。

10.根据权利要求8所述的喷头电极总成，其中该第一和第二集气室是连续的或分段的。

11.一种用于等离子处理设备的喷头电极总成，包括：

硅电极，其具有等离子暴露表面，该电极具有多个第一气体通道；

金属背衬构件，贴附于该电极并具有多个与该第一气体通道流体连通的第二气体通道；

一个或多个第一集气室，形成在该金属背衬构件内并与该第二气体通道流体连通；

其中当工艺气体流过该第一和第二气体通道时，在该第一和第二气体通道产生总的压降，在该第二气体通道的该总的压降的部分大于在该第一气体通道的该总的压降的部分。

12.根据权利要求11所述的喷头电极总成，其中该金属背衬构件由铝或铝合金组成。

13.根据权利要求11所述的喷头电极总成，其中该金属背衬构件形成该第一集气室的表面涂有阳极氧化处理的铝、陶瓷或聚合物材料。 

14.根据权利要求11所述的喷头电极总成，进一步包括形成在该金属背衬构件背离该硅电极的表面中的一个或多个第二集气室，其中每个第二集气室与一个或多个第二气体通道流体连通。

15.根据权利要求11所述的喷头电极总成，进一步包括贴附于该金属背衬构件的热控制板。

16.根据权利要求14所述的喷头电极总成，其中该第一和第二集气室是连续的或分段的。

17.根据权利要求15所述的喷头电极总成，进一步包括一个或多个形成在该热控制板中的第三集气室，其中每个第三集气室与一个或多个第二气体通道流体连通。

18.一种在等离子处理设备中处理半导体基片的方法，该方法包括：

将基片设在等离子处理设备的反应室的基片支撑件上；

利用权利要求11所述的喷头电极总成将工艺气体引入该反应室；

由该工艺气体在该喷头电极总成和该基片之间的该反应室中生成等离子；

利用该等离子处理该基片。

19.根据权利要求18所述的方法，其中该工艺气体是含氟气体，该金属背衬构件由铝或铝合金组成。 

20.根据权利要求19所述的方法，其中涂覆该金属背衬构件面向该电极的形成该一个或多个第一集气室的表面，其中涂覆适于减少氟化铝形成。

21.根据权利要求20所述的方法，进一步包括一个或多个第二集气室，形成在该金属背衬构件背离该硅电极的表面，其中每个第二集气室与一个或多个第二气体通道流体连通。