[发明专利]IC芯片封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种IC芯片封装，其中，IC芯片例如具备细间距(FinePitch)的端子。 

背景技术

随着液晶显示装置的高精细化、高性能化发展，就要求液晶显示装置中搭载的液晶驱动器(IC芯片)等具有更多的输出，并且要求进一步缩小芯片的尺寸。 

要想在缩小IC芯片尺寸的同时实现更多的输出，就需要实现芯片上的凸点的细间距(微细)化。最近，较多地采用可实现细间距化的、安装裸芯片液晶驱动器的SOF(System On Film：片上系统，也称为COF(Chip On Film：薄膜覆晶))。 

根据最近的SOF封装技术，通过加热加压将IC芯片上的凸点与载带上的内部引线(Inner Lead)键合在一起，由此实现载带和IC芯片之间的导通。但是，根据这样的键合方法，为了消除凸点位置和内部引线位置之间的偏差，需要使用热变形小、高精细的载带材料。即，上述技术的缺陷在于，所要实现的细间距限制了载带所能选用的材料范围。 

另外，内部引线由铜箔形成。在进行细间距的配线加工时需要对铜箔实施减薄处理。例如，如果要形成50μm间距，TCP铜箔的厚度为12μm，如果要实现20μm间距，铜箔的厚度就需要控制在5μm左右。为了形成具有较小厚度而又能保持适当强度的铜箔，需要重新研究目前所使用的技术并引入新技术和新的加工设备，这些措施都将导致成本的增加。 

此外，在进行配线加工时，如果加工设备的加工精度远高于配线间距，加工后进行简单检测即可。但是，如果配线间距为细间距并且加工精度和配线间距二者接近，那么，在加工后就需要进行充分检测以确认是否存在未经充分加工的部分，这将导致检测成本的增加。 

为了克服以上缺陷，专利文献1揭示了一种通过中介基板(InterposerSubstrate)连接IC芯片和电路基板(载带)的方法。图12表示了专利 文献1所述的封装结构的剖面图。 

如图12所示，以芯片倒装键合(Flip Chip Bonding)的方式连接IC芯片104和中介基板101，而且，中介基板101以凸点键合方式连接电路基板107的电极图案110。电路基板107形成有与IC芯片104的配置区域对应的器件孔(Device Hole)107A。 

中介基板101为硅(Si)基板，且通过硅晶圆工艺形成，所以，能够以与IC芯片104的电极相同的细间距来形成和IC芯片104连接的电极。另一方面，以与电路基板107的电极间距、即较大的间距相同的间距来形成和电路基板107连接的电极。并且，在连接IC芯片104的电极和连接电路基板107的电极中，对应的电极在中介基板101上彼此连接。另外，作为电路基板107，可以优选使用载带。 

电路基板107、IC芯片104和中介基板101的键合部分被密封树脂密封，其作用在于对键合部分进行保护使其不受外部环境的影响。 

即，根据图12所示的封装结构，IC芯片104与电路基板107之间的互连通过中介基板101来实现，这样，可以将IC工艺水平的细间距转换为载带工艺水平的电极间距。所以，即使是安装通过缩小IC芯片尺寸、增加输出等方法实现了连接电极的高度细间距化的IC芯片的SOF封装，也能够避免制造成本和检测成本的增加。 

专利文献1：日本国专利申请公开特开2004-207566号公报，公开日：2004年7月22日。 

发明内容

如上述专利文献1所示，IC芯片104和电路基板107通过中介基板101来实现互连，但是，这种结构存在这样的问题，即：由于要在电路基板107中设置器件孔107A，这将导致密封树脂对连接部的密封可靠性降低。 

即，根据现有技术中IC芯片和电路基板直接互连的SOF结构，如果采用密封树脂浇注法对IC芯片的周围进行描画填充，密封树脂就会在毛细管现象的作用下渗透到IC芯片与电路基板之间，从而可在内部不发生气泡等的条件下实现密封。 

另一方面，根据上述通过中介基板101实现IC芯片104和电路基板107之间互连的结构，在用密封树脂对IC芯片的周围进行描画填充 时，由于IC芯片104的外缘和器件孔107A的外缘之间形成堰状物，基于毛细管现象的树脂填充性能恶化，从而可能导致密封树脂难以充分渗透到IC芯片和电路基板之间。